[發明專利]納米晶-配體復合物、其制備方法及其應用

有效

• 申請號: 201710675552.6
• 申請日: 2017-08-09
• 公開（公告）號: CN107522723B
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發明（設計）人: 彭笑剛;周健海;蘇葉華
• 申請（專利權）人: 浙江大學;納晶科技股份有限公司
• 主分類號: C07F3/08
• 分類號: C07F3/08;C09K11/06;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L51/42;H01L51/46
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 韓建偉;梁文惠

1.一種納米晶-配體復合物，其特征在于，所述納米晶-配體復合物包括納米晶以及兩種與所述納米晶形成表面配位的配體，所述配體為一元或多元羧酸配體，兩種所述配體為C鏈長度差為4~8的直鏈羧酸配體，所述兩種配體分別為短鏈配體和長鏈配體，所述短鏈配體的C鏈長度為10~14，所述長鏈配體的C鏈長度為18~22，所述長鏈配體為不飽和脂肪酸，所述納米晶為核殼量子點，所述核殼量子點的量子點核的平均直徑大小是所述量子點核組成材料的空穴或電子的最小波爾直徑的1.6倍以上。

2.根據權利要求1所述的納米晶-配體復合物，其特征在于，所述短鏈配體為十二酸或十四酸，且所述長鏈配體為油酸。

3.根據權利要求1所述的納米晶-配體復合物，其特征在于，所述核殼量子點的熒光半峰寬小于等于65meV，且所述核殼量子點的結構為閃鋅礦結構。

4.根據權利要求3所述的納米晶-配體復合物，其特征在于，所述核殼量子點為無層錯閃鋅礦結構晶體。

5.根據權利要求1所述的納米晶-配體復合物，其特征在于，所述核殼量子點的量子點核的平均直徑大小是所述量子點核組成材料的空穴或電子的最小波爾直徑的2倍以上。

6.根據權利要求5所述的納米晶-配體復合物，其特征在于，所述核殼量子點的量子點核的平均直徑大小是所述量子點核組成材料的空穴或電子的最小波爾直徑的2.8~8.4倍。

7.根據權利要求5所述的納米晶-配體復合物，其特征在于，所述核殼量子點為II-VI族量子點。

8.根據權利要求7所述的納米晶-配體復合物，其特征在于，所述核殼量子點為CdSe/CdS。

9.根據權利要求7所述的納米晶-配體復合物，其特征在于，所述核殼量子點的核為六面體，所述核殼量子點為球體；或所述核殼量子點的核為六面體，所述核殼量子點為六面體；或所述核殼量子點的核為球體，所述核殼量子點為六面體；或所述核殼量子點的核為球體，所述核殼量子點為球體。

10.根據權利要求5所述的納米晶-配體復合物，其特征在于，所述核殼量子點的熒光量子產率大于等于90%，熒光壽命單指數衰減曲線的擬合優度χ_R²范圍為大于1且小于1.3。

11.一種如權利要求1至10中任一項所述的納米晶-配體復合物的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：將帶有第一配體的納米晶與至少一種羧酸配體進行配體交換，形成所述納米晶-配體復合物。

12.根據權利要求11所述的制備方法，其特征在于，所述配體交換發生在納米晶的核生長階段、或者納米晶的殼生長階段或者納米晶制備完畢后處理階段。

13.一種組合物，包括納米晶材料，其特征在于，所述納米晶材料為權利要求1至10中任一項所述的納米晶-配體復合物。

14.一種光電器件，包括納米晶材料，其特征在于，所述納米晶材料為權利要求1至10中任一項所述的納米晶-配體復合物。

15.一種光學器件，包括納米晶材料，其特征在于，所述納米晶材料為權利要求1至10中任一項所述的納米晶-配體復合物。