[發(fā)明專利]具有虛設(shè)單元的非易失性存儲(chǔ)器裝置及控制其的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710674849.0
• 申請(qǐng)日: 2017-08-09
• 公開（公告）號(hào): CN108231103B
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 俞昌淵;樸俊泓;金成鎮(zhèn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11C7/12
• 分類號(hào): G11C7/12;G11C7/18;G11C8/14
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng);董婷

提供了具有虛設(shè)單元的非易失性存儲(chǔ)器裝置及控制其的方法。非易失性存儲(chǔ)器裝置包括單元串、地選擇晶體管和至少一個(gè)虛設(shè)單元。單元串包括至少一個(gè)存儲(chǔ)器單元。所述至少一個(gè)虛設(shè)單元設(shè)置在至少一個(gè)存儲(chǔ)器單元與地選擇晶體管之間并連接到位線。控制器運(yùn)行虛設(shè)單元控制邏輯，虛設(shè)單元控制邏輯被配置為在預(yù)充電周期的至少一部分中將至少一個(gè)虛設(shè)單元的柵極電壓控制為低于至少一個(gè)虛設(shè)單元的閾值電壓。

本申請(qǐng)要求于2016年12月14日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局(KIPO)提交的第10-2016-0170412號(hào)韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請(qǐng)的內(nèi)容通過引用全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及非易失性存儲(chǔ)器裝置。更具體地，本公開涉及具有虛設(shè)單元的非易失性存儲(chǔ)器裝置及包括非易失性存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。

背景技術(shù)

存儲(chǔ)器裝置主要分為易失性存儲(chǔ)器裝置和非易失性存儲(chǔ)器裝置。非易失性存儲(chǔ)器裝置是即使電源停止(例如，斷路)也保持其中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器裝置。非易失性存儲(chǔ)器裝置的示例是閃存裝置。閃存裝置包括根據(jù)其中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)而具有不同狀態(tài)的存儲(chǔ)器單元。存儲(chǔ)器單元以基于單元串的單位連接到位線，以執(zhí)行編程操作或讀取操作等。

發(fā)明內(nèi)容

本公開描述了具有虛設(shè)單元的非易失性存儲(chǔ)器裝置和包括非易失性存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。

根據(jù)本公開的一個(gè)方面，非易失性存儲(chǔ)器裝置包括單元串和控制器。單元串包括至少一個(gè)存儲(chǔ)器單元、地選擇晶體管以及在至少一個(gè)存儲(chǔ)器單元與地選擇晶體管之間并連接到位線的至少一個(gè)虛設(shè)單元。控制器被配置為在預(yù)充電周期(時(shí)間段)的至少一部分中將所述至少一個(gè)虛設(shè)單元的柵極電壓控制為低于所述至少一個(gè)虛設(shè)單元的閾值電壓。

根據(jù)本公開的另一方面，非易失性存儲(chǔ)裝置包括存儲(chǔ)器單元陣列、頁緩沖器和控制器。存儲(chǔ)器單元陣列包括多個(gè)單元串，每個(gè)單元串包括至少一個(gè)虛設(shè)單元。頁緩沖器通過多條位線連接到存儲(chǔ)器單元陣列并對(duì)所述多條位線中的至少一條位線進(jìn)行預(yù)充電。控制器被配置為控制所述至少一個(gè)虛設(shè)單元的柵極電壓，并被配置為在頁緩沖器對(duì)所述多條位線中的至少一條位線進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電周期的至少一部分中，將所述至少一個(gè)虛設(shè)單元的截止電壓控制為施加到所述至少一個(gè)虛設(shè)單元的柵極。

附圖說明

通過結(jié)合附圖的下面的詳細(xì)描述，將更清楚地理解本公開的實(shí)施例，在附圖中：

圖1是示出根據(jù)示例實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的框圖；

圖2是包括在圖1的存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器單元陣列中的存儲(chǔ)器塊的等效電路的電路圖；

圖3是根據(jù)示例實(shí)施例的各種信號(hào)的操作的時(shí)序圖；

圖4A示出預(yù)充電周期(時(shí)間段)中分別連接到選擇位線的單元串。圖4B是包括在單元串中的線之間的電容和電阻值的對(duì)比曲線圖。圖4C是根據(jù)示例實(shí)施例的虛設(shè)字線與地選擇線之間的切換時(shí)間的對(duì)比曲線圖；

圖5是用于說明根據(jù)示例實(shí)施例的設(shè)定虛設(shè)單元的閾值電壓的過程的示例的曲線圖；

圖6是根據(jù)另一示例實(shí)施例的各種信號(hào)的操作的時(shí)序圖；

圖7是根據(jù)另一示例實(shí)施例的各種信號(hào)的操作的時(shí)序圖；

圖8是示出圖1的存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器單元陣列的另一示例的框圖；

圖9是圖8的存儲(chǔ)器單元陣列的存儲(chǔ)器塊中的第一塊的等效電路的示例的電路圖；

圖10是圖8的存儲(chǔ)器單元陣列的存儲(chǔ)器塊中的第一塊的示例的透視圖；

圖11是根據(jù)示例實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的框圖；

圖12是根據(jù)示例實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的操作的流程圖；

圖13是根據(jù)另一示例實(shí)施例的存儲(chǔ)器裝置的操作的流程圖；