[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201710674059.2
• 申請日: 2017-08-09
• 公開（公告）號: CN107546265B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 趙樹峰
• 申請（專利權）人: 蘇州捷芯威半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L21/335
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 龍禮妹

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

半導體層；

基于所述半導體層制作的第一源極、第一漏極、第一柵極、第二源極、第二漏極和第二柵極，所述第一柵極位于所述第一源極與所述第一漏極之間，所述第二柵極位于所述第二源極與所述第二漏極之間；

隔離溝槽，形成于所述第一漏極與所述第二源極之間的所述半導體層內，使所述第一漏極和所述第二源極形成高阻斷區；

基于所述半導體層制作并將所述第一漏極與所述第二源極電連接的第一互聯導體；以及

基于所述半導體層制作并將所述第一源極與所述第二柵極電連接的第二互聯導體；

其中，所述第一源極、第一漏極和第一柵極形成低壓增強型半導體器件，所述第二源極、第二漏極和第二柵極形成高壓耗盡型半導體器件；

所述半導體器件還包括電阻器件，所述電阻器件的一端通過第三互聯導體與所述第一源極電極連接、另一端通過第四互聯導體與所述第一漏極電極連接，使該電阻器件并聯在所述第一源極和第一漏極兩端。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體層包括襯底、位于所述襯底一側的第一半導體層和位于所述第一半導體層遠離所述襯底一側的第二半導體層，所述第一半導體層和所述第二半導體層的交界面形成二維電子氣；

所述第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極基于所述第二半導體層遠離所述第一半導體層的一側制作，并與所述二維電子氣形成歐姆接觸；

所述隔離溝槽貫穿所述第二半導體層并延伸至所述第一半導體層內，所述隔離溝槽使位于所述第一漏極與所述第二源極之間的二維電子氣溝道形成高阻斷區。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括位于所述第二半導體層上遠離所述襯底一側并與所述第一柵極的位置對應的第三半導體層，所述第三半導體層與所述第二半導體層的電極性相反，所述第一柵極形成于所述第三半導體層。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述第一源極和第一漏極之間設置有柵極溝槽，所述柵極溝槽的底部貫穿所述第二半導體層并延伸至所述第一半導體層，使所述第一柵極下方的二維電子氣耗盡；

所述第一柵極的至少一部分位于所述柵極溝槽內，所述柵極溝槽內覆蓋有柵極電介質層，以隔離所述第一柵極與所述第二半導體層。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述第二半導體層、所述隔離溝槽內部以及所述柵極溝槽內部覆蓋有柵極電介質層。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體層與所述第一柵極對應的區域注入有F離子，所述第一柵極形成于所述半導體層注入有所述F離子的區域上。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一互聯導體連接在第一漏極電極與所述第二源極之間，以實現所述第一漏極與所述第二源極之間的電連接；

所述第二互聯導體連接在第一源極電極和第二柵極電極之間，以實現所述第一源極與所述第二柵極之間的電連接。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括電容器件，所述電容器件的一端通過第五互聯導體與所述第一源極電極連接、另一端通過第六互聯導體與所述第一漏極電極連接，使該電容器件并聯在所述第一源極和第一漏極兩端。