[發明專利]矽衍生化合物噴絲頭的制備方法及噴絲頭

有效

• 申請號: 201710672880.0
• 申請日: 2017-08-08
• 公開（公告）號: CN107366027B
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 姚錦元
• 申請（專利權）人: 上海惠浦機電科技有限公司
• 主分類號: D01D4/02
• 分類號: D01D4/02;B29C64/209;B33Y30/00
• 代理公司: 上海恒慧知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31317
• 代理人: 徐紅銀

1.一種矽衍生化合物噴絲頭的制備方法，其特征在于，包括：

根據預設的圖形，以矽材料制作噴絲頭本體，所述噴絲頭本體具有至少一個噴絲孔；

在所述噴絲頭本體的整體或者局部結構上從外到內衍生出矽的衍生化合物，所述衍生化合物用于在所述噴絲頭本體的整體或者局部結構上衍生形成陶瓷、氧化矽功能層；

對包括衍生化合物的噴絲頭本體進行寶石或金剛石層修飾，在所述噴絲頭本體的表面形成寶石層；

其中：

所述根據預設的圖形，以矽材料制作噴絲頭本體，包括采用集成電路芯片制造工藝制作噴絲頭本體或采用模具澆注工藝制作噴絲頭本體；

-所述采用集成電路芯片制造工藝制作噴絲頭本體，具體的：

根據預設圖形制作掩膜板，所述掩膜板的鏤空區域對應所述噴絲頭本體的形狀和/或噴絲孔的形狀；

將掩膜板先后覆蓋在矽材料基底的正反兩面上，并對準正反面的圖形，先后在矽材料基底的正反兩面形成均勻的光刻膠層；

對矽材料基底的正面和/或背面進行紫外曝光，并顯影出預設的圖形；

采用物理和/或化學刻蝕方式，根據所述預設的圖形在矽材料基底的正面和/或背面上刻蝕出噴絲頭本體的三維結構；

-所述采用模具澆注工藝制作噴絲頭本體，具體的：

利用導電材料制作噴絲頭本體的模具；

在所述模具中對應噴絲孔電極的位置開設電極孔；

將預設形狀的電極插入所述電極孔中；

在所述模具內注入矽的微晶粉末，蓋上設有電極固定孔和高溫絕緣墊片的模具上蓋板；

對模具進行加溫處理，以使矽的微晶粉末熔融為一體；

冷卻固化后取出噴絲頭本體，在所述噴絲頭本體中通入氧氣來燒蝕電極或者通過大電流燒蝕電極，得到預設形狀的噴絲孔。

2.根據權利要求1所述的矽衍生化合物噴絲頭的制備方法，其特征在于，所述采用集成電路芯片制造工藝制作噴絲頭本體，其中所述采用物理和/或化學刻蝕方式，包括：采用等離子、反應離子、氫氧化鈉、四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷中的任一種在矽材料基底上進行刻蝕。

3.根據權利要求1所述的矽衍生化合物噴絲頭的制備方法，其特征在于，所述采用集成電路芯片制造工藝制作噴絲頭本體，其中所述光刻膠層是以光為催化、固化劑對光刻膠進行圖形化，所述光刻膠包括：正膠、負膠。

4.根據權利要求1所述的矽衍生化合物噴絲頭的制備方法，其特征在于，所述采用集成電路芯片制造工藝制作噴絲頭本體，還包括：

在噴絲頭本體上得到噴絲孔后，去除光刻膠層。

5.根據權利要求1-4中任意一項所述的矽衍生化合物噴絲頭的制備方法，其特征在于，所述在所述噴絲頭本體的整體或者局部結構上從外到內衍生出矽的衍生化合物，包括：

對噴絲頭本體的整體或者局部結構進行氧化、碳化處理，生成氧化矽功能層和碳化矽功能層。

6.根據權利要求1-4中任意一項所述的矽衍生化合物噴絲頭的制備方法，其特征在于，所述對包括衍生化合物的噴絲頭本體進行寶石或金剛石層修飾，包括：采用等離子噴涂工藝對噴絲頭表面進行修飾。

7.根據權利要求1-4中任意一項所述的矽衍生化合物噴絲頭的制備方法，其特征在于，所述噴絲孔的形狀包括：任意形狀。

8.一種噴絲頭，其特征在于，采用權利要求1-7中任一項所述的矽衍生化合物噴絲頭的制備方法制作。