[發明專利]低漏電流的動態隨機存取存儲器及其相關制造方法

在審

• 申請號: 201710671760.9
• 申請日: 2017-08-08
• 公開（公告）號: CN107706178A
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發明（設計）人: 黃立平
• 申請（專利權）人: 鈺創科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司44223
• 代理人: 江耀純

技術領域

本發明涉及一種低漏電流的動態隨機存取存儲器及其相關制造方法，尤其涉及一種利用輕摻雜漏極降低漏電流的動態隨機存取存儲器及其相關制造方法。

背景技術

因為現有技術所公開的溝槽式動態隨機存取存儲器的尺寸減少的緣故，所以所述溝槽式動態隨機存取存儲器的多個漏/源極和所述溝槽式動態隨機存取存儲器的多個柵極之間的電場會隨著增大，導致所述多個漏/源極和所述多個柵極之間的接面的熱載流子(Hot-Carrier)效應增大。因為所述多個漏/源極和所述多個柵極之間的接面的熱載流子效應增大，所以所述多個漏/源極和所述多個柵極之間的接面的隧道漏電流(tunneling leakage current)也隨所述熱載流子效應增大而增大。另外，所述多個漏/源極和所述溝槽式動態隨機存取存儲器的基底之間的電壓差也會使所述多個漏/源極和所述基底之間具有較大的接面漏電流(junction leakage current)。如此，較大的接面漏電流和較大的隧道漏電流將會使具有所述溝槽式動態隨機存取存儲器的便攜式電子產品的待機時間大幅縮短。因此，如何改進所述溝槽式動態隨機存取存儲器成為所述溝槽式動態隨機存取存儲器的設計者的一項重要課題。

發明內容

本發明的一實施例公開一種低漏電流的動態隨機存取存儲器的制造方法。所述制造方法包含在一基底內形成所述動態隨機存取存儲器的多個柵極；利用一第一離子注入在所述基底內形成所述動態隨機存取存儲器的多個漏/源極；及在所述多個漏/源極形成后，利用一第二離子注入在所述多個漏/源極的全部漏/源極或部分漏/源極的下方形成多個輕摻雜漏極(lightly doped drain,LDD)區，其中所述多個輕摻雜漏極是用來降低所述動態隨機存取存儲器內的漏電流，且所述第二離子注入具有一預定入射角度。

本發明的另一實施例公開一種低漏電流的動態隨機存取存儲器。所述動態隨機存取存儲器包含一基底、多個柵極、多個漏/源極和多個輕摻雜漏極。所述多個柵極形成于所述基底內。所述多個漏/源極是通過一第一離子注入形成于所述基底內。所述多個輕摻雜漏極是通過一第二離子注入形成于所述多個漏/源極的全部漏/源極或部分漏/源極的下方，其中所述多個輕摻雜漏極是用來降低所述動態隨機存取存儲器內的漏電流，且所述第二離子注入具有一預定入射角度。

本發明的另一實施例公開一種低漏電流的動態隨機存取存儲器。所述動態隨機存取存儲器包含一基底、多個柵極、多個漏/源極和多個輕摻雜漏極。所述多個柵極形成于所述基底內。所述多個漏/源極是通過一第一離子注入形成于所述基底內。所述多個輕摻雜漏極是通過一第二離子注入形成于所述多個漏/源極的全部漏/源極或部分漏/源極的下方，其中所述多個輕摻雜漏極是用來降低所述動態隨機存取存儲器內的漏電流。

本發明的另一實施例公開一種低漏電流的動態隨機存取存儲器。該動態隨機存取存儲器包含一基底、多個柵極、多個漏/源極和多個輕摻雜漏極。該多個柵極形成于該基底內。該多個漏/源極形成于該基底內。兩相鄰柵極的側壁上形成位于相對應的漏/源極的下方的輕摻雜漏極。

本發明的另一實施例公開一種低漏電流的動態隨機存取存儲器。該動態隨機存取存儲器包含一基底、多個柵極、多個漏/源極、多個隔離層和多個輕摻雜漏極。該多個柵極形成于該基底內。該多個漏/源極形成于該基底內。該多個隔離層形成于該基底內，且每一隔離層是位于兩柵極之間，其中該兩柵極面對該每一隔離層的側壁上以及該每一隔離層的側壁上形成位于相對應的漏/源極的下方的輕摻雜漏極。

本發明公開一種低漏電流的動態隨機存取存儲器及其相關制造方法。因為本發明在所述動態隨機存取存儲器的多個漏/源極的全部漏/源極或部分漏/源極的下方形成所述動態隨機存取存儲器的多個輕摻雜漏極，所以所述多個輕摻雜漏極可使所述多個漏/源極和所述動態隨機存取存儲器的多個柵極之間的電場以及所述多個漏/源極和所述動態隨機存取存儲器的基底之間的電場降低(導致所述多個漏/源極和所述多個柵極之間以及所述多個漏/源極和所述基底之間的熱載流子數目降低)。因此，所述多個輕摻雜漏極可有效降低所述多個漏/源極和所述多個柵極之間的接面的隧道漏電流和所述多個漏/源極和所述基底之間的接面漏電流。也就是說所述多個輕摻雜漏極可有效降低所述動態隨機存取存儲器的總漏電流。如此，本發明將可使具有所述動態隨機存取存儲器的便攜式電子產品的待機時間大幅延長。

附圖說明

圖1是本發明的一實施例所公開的一種低漏電流的動態隨機存取存儲器的制造方法的流程圖。

圖2是說明第一電介質層、第一氧化層以及光阻層形成在基底之上的示意圖。