[發明專利]含中間能帶的半導體的制備方法及應用有效
| 申請號： | 201710671195.6 | 申請日： | 2017-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN109382091B | 公開（公告）日： | 2020-06-26 |
| 發明（設計）人： | 孫永福;梁倞;謝毅 | 申請（專利權）人： | 中國科學技術大學 |
| 主分類號： | B01J23/30 | 分類號： | B01J23/30;B01J35/02;B01J37/08;B01J37/10;C01B13/02 |
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| 地址： | 230026 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 中間 能帶 半導體 制備 方法 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種含中間能帶的半導體的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
將半導體超薄片或納米半導體材料在還原氣氛中進行煅燒，得到含中間能帶的半導體；
所述半導體超薄片為三氧化鎢超薄片；所述納米半導體材料為納米花三氧化鎢；
所述三氧化鎢超薄片或納米花三氧化鎢按照以下方法制備：
S)將草酸與無機鎢鹽混合進行水熱反應或溶劑熱反應，得到三氧化鎢超薄片或納米花三氧化鎢；
所述無機鎢鹽為六氯化鎢；所述溶劑熱反應的溶劑為乙醇；
所述還原氣氛為氫氣與惰性氣體的混合氣氛；所述混合氣氛中氫氣的體積分數為10％～40％；
所述煅燒的溫度為300℃～400℃；所述煅燒的時間為1～3h。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述草酸與無機鎢鹽的質量比為(1.5～2.5)：(0.1～0.3)。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S)具體為：
將草酸、無機鎢鹽與水或溶劑混合，攪拌20～40min，然后進行水熱反應或溶劑熱反應，得到三氧化鎢超薄片或納米花三氧化鎢。
4.權利要求1～3任意一項所述的含中間能帶的半導體的制備方法所制備的含中間能帶的半導體作為光催化劑的應用。
5.權利要求1～3任意一項含中間能帶的半導體的制備方法所制備的含中間能帶的半導體作為光催化劑在紅外光輻照的條件下催化二氧化碳還原。
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