[發明專利]一種制備硫化亞錫/硅氧化物核殼結構納米線的方法有效
| 申請號： | 201710670675.0 | 申請日： | 2017-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN107555401B | 公開（公告）日： | 2019-06-18 |
| 發明（設計）人： | 簡基康;劉驕;吳晶;杜炳生;蔡文陽;蘇燦鋒 | 申請（專利權）人： | 廣東工業大學 |
| 主分類號： | B82B1/00 | 分類號： | B82B1/00;B82B3/00;B01J13/20;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 趙青朵 |
| 地址： | 510062 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硫化亞錫 硅氧化物 核殼結構 納米線 制備 高溫管式爐 常壓 腔體抽真空 內核表面 硅片 催化劑 包覆 放入 加熱 內核 腔體 溫區 外部 應用 恢復 | ||
1.一種硫化亞錫/硅氧化物核殼結構納米線，包括：
硫化亞錫內核；
包覆在硫化亞錫內核表面的硅氧化物外殼；
所述硫化亞錫/硅氧化物核殼結構納米線的制備方法，包括：
在高溫管式爐中心溫區放入硫化亞錫粉末，在氣流下游放置硅片，對高溫管式爐腔體抽真空，然后通入氣流使高溫管式爐腔體恢復至常壓并進行加熱，得到硫化亞錫/硅氧化物核殼結構納米線。
2.根據權利要求1所述的硫化亞錫/硅氧化物核殼結構的納米線，其特征在于，所述硫化亞錫/硅氧化物核殼結構納米線的直徑為100～700nm。
3.根據權利要求1所述的硫化亞錫/硅氧化物核殼結構納米線，其特征在于，所述方法不使用任何催化劑。
4.根據權利要求1所述的硫化亞錫/硅氧化物核殼結構納米線，其特征在于，所述常壓為一個大氣壓。
5.根據權利要求1所述的硫化亞錫/硅氧化物核殼結構納米線，其特征在于，所述氣流的氣體為保護性氣體。
6.根據權利要求1所述的硫化亞錫/硅氧化物核殼結構納米線，其特征在于，所述氣流的流量為30～70sccm。
7.根據權利要求1所述的硫化亞錫/硅氧化物核殼結構納米線，其特征在于，所述硅片的放置位置距離高溫管式爐中心溫區5～25cm。
8.根據權利要求1所述的硫化亞錫/硅氧化物核殼結構納米線，其特征在于，所述加熱的溫度為700～1000℃。
9.根據權利要求1所述的硫化亞錫/硅氧化物核殼結構納米線，其特征在于，所述加熱的時間為0.5～5小時。
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