[發(fā)明專利]一種GaAs基LED芯片的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710670536.8
• 申請(qǐng)日: 2017-08-08
• 公開（公告）號(hào): CN107706276A
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張銀橋;白繼鋒;潘彬;易億仁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南昌凱迅光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/32
• 分類號(hào): H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00;H01L21/02
• 代理公司: 江西省專利事務(wù)所36100
• 代理人: 張靜,張文

1.一種GaAs基LED芯片的制備方法，其特征在于：具體步驟如下：

（1）、在GaAs基板上制備發(fā)光二極管外延片：按常規(guī)方法在GaAs基板的正面依次制作緩沖層、n-AlGaInP限制層、MQW多量子阱有源層、p-AlGaInP限制層、p-GaP窗口層；

（2）、在p-GaP窗口層上制作ITO薄膜層和金屬正電極層；

（3）、將GaAs基板的背面進(jìn)行減薄，將減薄后GaAs基板的背面進(jìn)行徹底清洗；

（4）、在GaAs基板的背面蒸鍍金屬負(fù)電極層；

（5）、在420℃的氮?dú)夥諊羞M(jìn)行熔合，以獲得GaAs基板背面的負(fù)金屬層和GaAs基板形成良好的歐姆接觸，同時(shí)進(jìn)一步增強(qiáng)了GaAs基板背面的金屬負(fù)電極層與GaAs基板的粘附性。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaAs基LED芯片的制備方法，其特征在于：步驟（3）中的所述減薄后GaAs基板進(jìn)行徹底清洗，包括物理清洗方法和化學(xué)清洗方法；其中化學(xué)清洗方法可以有效去除表層GaAs，包括以下步驟：

A、將待減薄的GaAs基板固定在載物盤的表面；

B、采用研磨機(jī)將GaAs基板的背面進(jìn)行研磨，達(dá)到預(yù)設(shè)定的減薄厚度；

C、采用高壓純水清洗減薄后的GaAs基板的背面表面；

D、采用無(wú)塵布進(jìn)行擦拭GaAs基板的背面表面，然后再次用純水進(jìn)行沖洗；

E、采用N₂槍吹除GaAs基板的背面表面的水份；

F、在GaAs基板的背面表面噴灑GaAs去除溶液，然后再用純水進(jìn)行沖洗；

G、重復(fù)步驟F至少一次；

H、采用N₂槍吹除GaAs基板的背面表面的水份；

I、采用強(qiáng)光燈檢查GaAs基板的背面表面，得到微腐蝕的光亮潔凈GaAs表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的GaAs基LED芯片的制備方法，其特征在于：在步驟E、H中，N₂的純度≥99.99%。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的GaAs基LED芯片的制備方法，其特征在于：在步驟F中，GaAs去除溶液由氨水、雙氧水、純水組成。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的GaAs基LED芯片的制備方法，其特征在于：在步驟F中，GaAs去除溶液的停滯時(shí)間≥2min。