[發明專利]疊層太陽能電池及其制造方法有效
| 申請號： | 201710670180.8 | 申請日： | 2017-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN108155181B | 公開（公告）日： | 2021-03-12 |
| 發明（設計）人： | 安世源 | 申請（專利權）人： | LG電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/05;H01L31/068;H01L31/078;H01L31/0725;H01L31/0236;H01L31/0687;H01L51/42;H01L51/44 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 李輝;劉久亮 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽能電池 及其 制造 方法 | ||
1.一種疊層太陽能電池，該疊層太陽能電池包括：
硅太陽能電池，該硅太陽能電池包括發射體層和第一鈍化圖案，該發射體層被布置在晶體硅襯底的第一表面上，該第一鈍化圖案被布置在所述發射體層中并且被圖案化為具有使所述發射體層的一部分暴露的開口；
鈣鈦礦太陽能電池，該鈣鈦礦太陽能電池包括鈣鈦礦吸收層；
結層，該結層被布置在所述硅太陽能電池的所述第一鈍化圖案和通過所述開口暴露的所述發射體層上，并且被配置為接合所述硅太陽能電池和所述鈣鈦礦太陽能電池；
第一電極，該第一電極被布置在所述鈣鈦礦太陽能電池上，以及
第二電極，該第二電極被布置在所述晶體硅襯底的第二表面上。
2.根據權利要求1所述的疊層太陽能電池，其中，所述晶體硅太陽能電池還包括布置在所述晶體硅襯底的所述第二表面上的后電場層。
3.根據權利要求1所述的疊層太陽能電池，其中，所述鈣鈦礦太陽能電池還包括電子傳輸層和空穴傳輸層。
4.根據權利要求1所述的疊層太陽能電池，其中，所述第一電極包括：
透明電極層，該透明電極層被布置在所述鈣鈦礦太陽能電池上；以及
網格電極層，該網格電極層被布置在所述透明電極層上。
5.根據權利要求4所述的疊層太陽能電池，其中，所述透明電極層包括凹凸結構。
6.根據權利要求1或2所述的疊層太陽能電池，該疊層太陽能電池還包括第二鈍化層，該第二鈍化層被布置在所述晶體硅襯底的所述第二表面上。
7.根據權利要求6所述的疊層太陽能電池，其中，所述第二電極穿過所述第二鈍化層并且電連接至所述后電場層。
8.根據權利要求1所述的疊層太陽能電池，其中：
所述第二電極包括玻璃熔塊和用于燒穿的無機添加劑；并且
所述第一電極不包括玻璃熔塊。
9.根據權利要求1所述的疊層太陽能電池，其中，所述晶體硅襯底具有紋理化圖案，該紋理化圖案被布置在所述第一表面和所述第二表面中的至少一個中。
10.根據權利要求3所述的疊層太陽能電池，其中，所述鈣鈦礦太陽能電池還包括介孔層，所述介孔層被插置在所述電子傳輸層與所述鈣鈦礦吸收層之間。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
