[發(fā)明專利]一種顯示面板及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710669330.3 | 申請日: | 2017-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN107689388B | 公開(公告)日: | 2020-08-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 卓恩宗 | 申請(專利權(quán))人: | 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢濤 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市石巖街道水田村民營*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括基板、主動開關和形成于所述基板上的發(fā)光二極管,所述主動開關設置在所述基板與所述發(fā)光二極管之間,所述發(fā)光二極管包括:
第一電極、第二電極;
量子點發(fā)光層:所述量子點發(fā)光層包括介孔框架,所述介孔框架采用自組裝形式,所述介孔框架作為主體材料,所述介孔框架內(nèi)設置有量子點;
所述第一電極、所述量子點發(fā)光層和所述第二電極依次層疊設置;
所述介孔框架內(nèi)設置有孔洞,所述孔洞內(nèi)設置有有機分子模版,所述有機分子模版與所述孔洞的內(nèi)壁之間設置有縫隙,所述縫隙內(nèi)設置有所述量子點。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述量子點的半徑
小于或等于激子波爾半徑。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述量子點為硅納米晶體。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述介孔框架為自組裝介孔二氧化硅框架。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述孔洞的內(nèi)壁為二氧化硅孔壁。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括
真空層和密封部,所述密封部與所述發(fā)光二極管作用形成所述真空層,所述真空層設置在所述發(fā)光二極管上。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述孔洞的直徑大小為2-10納米。
8.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括基板、主動開關和形成于所述基板上的發(fā)光二極管,所述主動開關設置在所述基板與所述發(fā)光二極管之間,所述發(fā)光二極管包括:
第一電極、第二電極;
量子點發(fā)光層:所述量子點發(fā)光層包括介孔框架,所述介孔框架采用自組裝形式,所述介孔框架作為主體材料,所述介孔框架內(nèi)設置有量子點,介孔框架為自組裝介孔二氧化硅框架;
所述顯示面板包括真空層和密封部,所述密封部與所述發(fā)光二極管作用形成所述真空層,所述真空層設置在所述發(fā)光二極管上;
所述第一電極、所述量子點發(fā)光層和所述第二電極依次層疊設置;所述自組裝介孔二氧化硅框架內(nèi)設置有孔洞,所述孔洞內(nèi)設置有有機分子模版,所述有機分子模版與所述孔洞的內(nèi)壁之間設置有縫隙;所述孔洞的內(nèi)壁為二氧化硅孔壁,所述孔洞的直徑大小為2-10納米,所述量子點填充于所述孔洞內(nèi),所述縫隙內(nèi)設置有所述量子點;所述量子點的半徑小于或等于激子波爾半徑;所述量子點材料為硅納米晶體。
9.一種顯示面板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:提供一基板;
在所述基板上形成第一電極;在所述第一電極上形成量子點發(fā)光層;在所述量子點發(fā)光層上形成第二電極;所述在所述第一電極上形成量子點發(fā)光層的步驟包括:
形成介孔框架,所述介孔框架采用自組裝形式,所述介孔框架作為主體材料,所述介孔框架內(nèi)設置有孔洞;
在所述孔洞內(nèi)填充有機分子模版,所述有機分子模版與孔洞內(nèi)壁之間形成有縫隙;
在所述縫隙內(nèi)注入氫氣;
在所述縫隙內(nèi)注入四氫化硅;
所述有機分子模版、氫氣和四氫化硅混合形成硅納米晶體材料的量子點。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





