[發明專利]抗蝕劑材料和圖案形成方法

有效

• 申請號: 201710668353.2
• 申請日: 2017-08-08
• 公開（公告）號: CN107703716B
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 畠山潤;大橋正樹
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004;G03F7/038;G03F7/039;G03F7/20
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 何楊

本發明涉及抗蝕劑材料和圖案形成方法。本發明提供在正型抗蝕劑材料和負型抗蝕劑材料中都為高靈敏度且LWR、CDU小的抗蝕劑材料以及使用其的圖案形成方法。抗蝕劑材料，其包含基礎聚合物和產酸劑，該產酸劑包含由下述式(1?1)表示的锍鹽或者由下述式(1?2)表示的碘鎓鹽。

技術領域

本發明涉及抗蝕劑材料和使用其的圖案形成方法，該抗蝕劑材料包含產酸劑，該產酸劑包含含有碘代苯氧基或碘代苯基烷氧基的氟代磺酸的锍鹽或碘鎓鹽。

背景技術

隨著LSI的高集成化和高速度化，圖案尺寸的微細化在急速地發展。特別地，閃存市場的擴大和存儲容量的增大化推動著微細化。作為最先進的微細化技術，已進行采用ArF光刻的65nm節點的器件的批量生產，采用下一代的ArF浸液光刻的45nm節點的批量生產準備在進行中。作為下一代的32nm節點，將與水相比折射率高的液體與高折射率透鏡、高折射率抗蝕劑材料組合的采用超高NA透鏡的浸液光刻、波長13.5nm的極紫外線(EUV)光刻、ArF光刻的雙重曝光(雙重圖案化光刻)等是候補，進行了研究。

隨著微細化發展而接近光的衍射極限，光的對比度降低。由于光的對比度的降低，在正型抗蝕劑膜中，產生孔圖案、溝槽圖案的分辨率、焦點裕度的降低。

隨著圖案的微細化，線圖案的邊緣粗糙度(LWR)和孔圖案的尺寸均一性(CDU)被視為問題。指出了基礎聚合物、產酸劑的不均勻、凝聚的影響、酸擴散的影響。進而，存在隨著抗蝕劑膜的薄膜化而LWR變大的傾向，與微細化的發展相伴的薄膜化所引起的LWR的劣化成為了嚴重的問題。

在EUV抗蝕劑中，需要同時實現高靈敏度、高分辨率化和低LWR化。如果使酸擴散距離變短，則LWR變小，但靈敏度低。例如，通過降低曝光后烘焙(PEB)溫度，LWR變小，但靈敏度低。即使增加猝滅劑的添加量，LWR也變小，但靈敏度低。需要打破靈敏度與LWR的折中關系。

發明內容

發明要解決的課題

在以酸作為催化劑的化學增幅抗蝕劑中，希望開發高靈敏度且可以減小LWR、孔圖案的CDU的產酸劑。

本發明鑒于上述實際情況而完成，目的在于提供在正型抗蝕劑材料和負型抗蝕劑材料中都為高靈敏度且LWR、CDU小的抗蝕劑材料和使用其的圖案形成方法。

用于解決課題的手段

本發明人為了實現上述目的反復深入研究，結果發現：通過使用規定的含有碘代苯氧基或碘代苯基烷氧基的氟代磺酸的锍鹽或碘鎓鹽作為產酸劑，從而能夠得到LWR和CDU小、對比度高、分辨率優異、工藝余裕寬的抗蝕劑材料，完成了本發明。

即，本發明提供下述抗蝕劑材料和圖案形成方法。

1.抗蝕劑材料，包含基礎聚合物和產酸劑，該產酸劑包含由下述式(1-1)表示的锍鹽或由下述式(1-2)表示的碘鎓鹽。

【化1】