[發明專利]一種IGBT器件

有效

• 申請號: 201710667988.0
• 申請日: 2017-08-07
• 公開（公告）號: CN107516669B
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發明（設計）人: 任敏;林育賜;羅蕾;謝馳;李佳駒;李澤宏;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/10
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 葛啟函

1.一種IGBT器件，包括金屬化集電極(1)、第一導電類型半導體集電區(2)、第二導電類型半導體漂移區(3)、柵極結構、第一導電類型半導體基區(8)、第一導電類型半導體接觸區(7)、第二導電類型半導體發射區(6)和金屬發射極(10)；金屬化集電極(1)位于第一導電類型半導體集電區(2)的背面，第二導電類型半導體漂移區(3)位于第一導電類型半導體集電區(2)的正面，且第二導電類型半導體漂移區(3)上方與金屬發射極(10)相連；第二導電類型半導體漂移區(3)的頂層設置有第一導電類型半導體基區(8)；第一導電類型半導體基區(8)上還具有柵極結構，柵極結構包括多晶硅柵電極(4)、柵介質層(5)和絕緣介質層(9)，并且柵極結構從第一導電類型半導體基區(8)的中部穿過并進入第二導電類型半導體漂移區(3)；柵極結構兩側的第一導電類型半導體基區(8)分別具有相互獨立的第一導電類型半導體接觸區(7)、第二導電類型半導體發射區(6)；多晶硅柵電極(4)與其兩側的第一導電類型半導體基區(8)和第二導電類型半導體發射區(6)及其底側的第二導電類型半導體漂移區(3)之間隔著柵介質層(5)；多晶硅柵電極(4)與其頂側的金屬發射極(10)之間隔著絕緣介質層(9)；其特征在于：第一導電類型半導體基區(8)的摻雜濃度自靠近金屬發射極(10)至遠離金屬發射極(10)方向逐漸增大；第一導電類型半導體基區(8)的摻雜方式為漸變摻雜。

2.根據權利要求1所述的一種IGBT器件，其特征在于，第一導電類型半導體為P型半導體，第二導電類型半導體為N型半導體。

3.根據權利要求1所述的一種IGBT器件，其特征在于，第一導電類型半導體為N型半導體，第二導電類型半導體為P型半導體。

4.根據權利要求1所述的一種IGBT器件，其特征在于，第一導電類型半導體或者第二導電類型半導體的材料為體硅、碳化硅、砷化鎵、磷化銦或者鍺硅復合材料。