[發(fā)明專利]一種基于電能儲(chǔ)能的芯片物理銷毀方法和裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710667194.4
• 申請(qǐng)日: 2017-08-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108114966A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周洋;楊建利;張濤;呂景成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鴻秦（北京）科技有限公司
• 主分類號(hào): B09B3/00
• 分類號(hào): B09B3/00;H01L23/00
• 代理公司: 北京高文律師事務(wù)所 11359
• 代理人: 徐江華

1.一種基于電能儲(chǔ)能的芯片物理銷毀方法，包括以下步驟：

(1)電荷泵將其輸入端上的工作電壓升壓到電荷泵的輸出端，輸出端的電壓不小于芯片的銷毀電壓；

(2)銷毀電壓通過(guò)電荷泵的輸出端加載到儲(chǔ)能電容上，儲(chǔ)能電容和電荷泵導(dǎo)通，和被銷毀芯片斷開(kāi)，處于被電荷泵充電的狀態(tài)；

(3)儲(chǔ)能電容向被銷毀芯片輸出電壓，也就是儲(chǔ)能電容的正極板經(jīng)過(guò)隔離開(kāi)關(guān)和被銷毀芯片連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電能儲(chǔ)能的芯片物理銷毀方法，其特征在于：步驟(3)中，不需要銷毀被銷毀芯片時(shí)，或者電荷泵的輸出端未到芯片的銷毀電壓時(shí)，隔離開(kāi)關(guān)處于斷開(kāi)狀態(tài)，儲(chǔ)能電容和被銷毀芯片斷開(kāi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電能儲(chǔ)能的芯片物理銷毀方法，其特征在于：步驟(3)中，儲(chǔ)能電容和被銷毀芯片的電源引腳導(dǎo)通，儲(chǔ)能電容上積累的電荷瞬間釋放到被銷毀芯片上。

4.一種基于電能儲(chǔ)能的芯片物理銷毀裝置，其特征在于：包括電荷泵、儲(chǔ)能電容、隔離開(kāi)關(guān)、工作電壓，所述電荷泵的輸入端和工作電壓相連接，輸出端和儲(chǔ)能電容的正極板相連接，所述儲(chǔ)能電容的正極板與隔離開(kāi)關(guān)相連接，負(fù)極板接地，所述隔離開(kāi)關(guān)的另一端與被銷毀芯片相連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于電能儲(chǔ)能的芯片物理銷毀裝置，其特征在于：工作電壓為5V直流。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于電能儲(chǔ)能的芯片物理銷毀裝置，其特征在于：在銷毀電壓要求大于36V時(shí)，電荷泵至少需要8倍的升壓過(guò)程，從而完成電壓升壓輸出。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于電能儲(chǔ)能的芯片物理銷毀裝置，其特征在于：儲(chǔ)能電容的容量不小于47uF，耐壓值不小于55V。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于電能儲(chǔ)能的芯片物理銷毀裝置，其特征在于：隔離開(kāi)關(guān)能夠選用繼電器、MOS管、三級(jí)管。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于電能儲(chǔ)能的芯片物理銷毀裝置，其特征在于：儲(chǔ)能電容和被銷毀芯片的電源引腳導(dǎo)通。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于電能儲(chǔ)能的芯片物理銷毀裝置，其特征在于：隔離開(kāi)關(guān)閉合時(shí)，是在芯片正常工作時(shí)進(jìn)行。