[發明專利]波浪形太陽能硅片的一次性金屬化方法及系統

有效

• 申請號: 201710665446.X
• 申請日: 2017-08-07
• 公開（公告）號: CN107452817B
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發明（設計）人: 萬明
• 申請（專利權）人: 蘇州賽萬玉山智能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 南京艾普利德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32297
• 代理人: 陸明耀

1.波浪形太陽能硅片的一次性金屬化方法，其特征在于：包括如下步驟：

S1，波浪形太陽能硅片移動至下掩模上定位，且波浪形太陽能硅片的波谷處的表面與下掩模上的背電極漿料通道相對應；

S2，上掩模下移至與波浪形太陽能硅片接觸，且其上的子導電柵通道與波浪形太陽能硅片的波峰處的表面對應；

S3，從上掩模的頂部進行正面電極漿料氣溶膠噴射，使波浪形太陽能硅片的正面涂布呈格柵狀分布的正面電極漿料，同時，從下掩模的底部進行背電極漿料氣溶膠噴射，在波浪形太陽能硅片的波谷處的表面涂布背電極漿料；

S4，上掩模上移與太陽能硅片分離，從下掩模上取下經過S3步驟的波浪形太陽能硅片；

S5，對經過S4步驟的波浪形太陽能硅片進行燒結。

2.根據權利要求1所述的波浪形太陽能硅片的一次性金屬化方法，其特征在于：

在S1步驟中，所述波浪形太陽能硅片通過所述下掩模頂部間隙設置的一組三角定位體分別卡止到的波浪形太陽能硅片的背面凹槽中實現定位；

在S2步驟中，所述上掩模通過其底部間隙設置的一組三角定位體分別卡止到所述波浪形太陽能硅片的正面凹槽中實現定位。

3.根據權利要求2所述的波浪形太陽能硅片的一次性金屬化方法，其特征在于：所述三角定位體為與所述太陽能硅片的凹槽形狀匹配的仿形結構。

4.根據權利要求2所述的波浪形太陽能硅片的一次性金屬化方法，其特征在于：所述下掩模及上掩模上的三角定位體為硅橡膠或硅樹脂或聚四氟乙烯或硅橡膠與聚四氟乙烯形成的復合材料或硅樹脂膠與聚四氟乙烯形成的復合材料。

5.根據權利要求2所述的波浪形太陽能硅片的一次性金屬化方法，其特征在于：從S1步驟開始到S4步驟結束期間的用時小于2分鐘。

6.根據權利要求1-5任一所述的波浪形太陽能硅片的一次性金屬化方法，其特征在于：還包括S6步驟，將所述S4步驟中經過氣溶膠噴射的上掩模及下掩模分別浸入到有機溶劑中進行清洗，并在烘干爐內使用熱空氣進行干燥，干燥后的上掩模及下掩模重復用于S1，S2步驟。

7.根據權利要求6所述的波浪形太陽能硅片的一次性金屬化方法，其特征在于：所述有機溶劑至少包括松油醇及乙基纖維素。

8.根據權利要求6所述的波浪形太陽能硅片的一次性金屬化方法，其特征在于：從S1步驟開始至S6步驟結束期間的用時小于5分鐘。

9.根據權利要求6所述的波浪形太陽能硅片的一次性金屬化方法，其特征在于：還包括S7步驟，通過加熱將S6步驟中分別清洗過上掩模和下掩模的有機溶劑與銀漿和鋁漿分離，然后通過電解法提純得到銀和鋁，并將銀和鋁分別作為原料再次生成銀漿和鋁漿重新導入到對應的氣溶膠噴射系統中。

10.波浪形太陽能硅片的一次性金屬化系統，其特征在于：包括

下掩模，用于承載及定位太陽能硅片，且其上的背電極漿料通道可與波浪形太陽能硅片的波谷處的表面相對應以待加工；

上掩模，可上下移動并與太陽能硅片接觸，其上的子導電柵通道與波浪形太陽能硅片的波峰處的表面對應以待加工；

掩模移動機構，用于分別驅動所述下掩模及上掩模移動；

正面電極漿料氣溶膠噴射系統，用于向所述上掩模的頂部噴射正面電極漿料；

背電極漿料氣溶膠噴射系統，用于向所述下掩模的底部噴射背電極漿料；

移栽機構，用于移動太陽能硅片。