[發明專利]半導體裝置以及半導體裝置制造方法

有效

• 申請號: 201710664688.7
• 申請日: 2017-08-04
• 公開（公告）號: CN107946277B
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發明（設計）人: 林俊成;施應慶;王卜;余振華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

本揭露提供一種半導體裝置以及半導體裝置制造方法。所述半導體裝置包含：底部封裝，其中在導體與貫穿通路之間的接觸表面積大體上等于所述貫穿通路的橫截面積，且所述底部封裝包含：模塑料；貫穿通路，其穿透所述模塑料；裸片，其模制在所述模塑料中；和導體，其在所述貫穿通路上。本揭露還揭示一種制造半導體裝置的相關聯方法。

技術領域

本發明實施例涉及半導體裝置以及半導體裝置制造方法。

背景技術

隨著半導體技術的演變，半導體芯片/裸片逐漸變小。同時，需將更多功能集成到半導體裸片中。相應地，半導體裸片需將更多數目個I/O墊封裝到更小區中，且I/O墊的密度隨時間而快速上升。因此，半導體裸片的封裝變得更加困難，此負面影響封裝的良率。如何降低生產復雜性和封裝成本已成為所述領域亟待解決的問題。

發明內容

根據本發明的實施例，一種半導體裝置包括底部封裝，所述底部封裝包含：模塑料；貫穿通路，其穿透所述模塑料；裸片，其在所述模塑料中模制；和導體，其在所述貫穿通路上；其中在所述導體與所述貫穿通路之間的接觸表面積大體上等于所述貫穿通路的橫截面積。

根據本發明的實施例，一種半導體裝置包括：底部封裝，其包含模塑料、穿透所述模塑料的貫穿通路和在所述模塑料中模制的裸片；導體，其在所述貫穿通路上；頂部封裝，其在所述底部封裝上方且通過所述導體接合到所述底部封裝；和底膠填充，其在所述頂部封裝與所述底部封裝之間；其中所述貫穿通路在形成所述導體的一側處從所述模塑料突出小于約1微米。

根據本發明的實施例，一種制造半導體裝置的方法，所述方法包括：提供載體；在所述載體上形成犧牲層；在所述犧牲層上方形成貫穿通路；在所述犧牲層上放置裸片；在所述犧牲層上形成模塑料以填充所述裸片與所述貫穿通路之間的間隙；在所述裸片、所述貫穿通路和所述模塑料上方形成重布層；去除所述載體和所述犧牲層以暴露所述貫穿通路和所述模塑料的一個末端；在所述貫穿通路的所述末端上放置導體；和放置底膠填充以圍繞所述導體，其中所述底膠填充與所述模塑料物理接觸。

附圖說明

在結合附圖閱讀時，可從以下詳細描述最佳理解本揭露的方面。應注意，根據產業中的標準實踐，各個構件不按比例繪制。實際上，為了清楚論述，可任意增大或減小各個構件的尺寸。

圖1到圖13是根據一些示范性實施例的封裝結構的制造中的中間階段的橫截面圖；

圖14是根據本揭露的實施例的圖12的區A的放大圖；以及

圖15是根據本揭露的實施例的圖13的區B的放大圖。

具體實施方式

下列揭露內容提供用于實施所提供標的物的不同構件的許多不同實施例或實例。下文描述組件和布置的特定實例以簡化本揭露。當然，這些僅為實例且不旨在限制。舉例來說，在下列描述中的第一構件形成于第二構件上方或上可包括其中所述第一構件和所述第二構件經形成直接接觸的實施例，且也可包括其中額外構件可形成在所述第一構件與所述第二構件之間，使得所述第一構件和所述第二構件可不直接接觸的實施例。另外，本揭露可在各個實例中重復參考符號和/或字母。此重復是用于簡化和清楚的目的且本身并不指示所論述的各種實施例和/或配置之間的關系。

此外，為便于描述，可在本文中使用空間相對術語(例如，“在......下方”、“在......下”、“下”、“在......上”、“上”和類似者)以描述一個元件或構件與另一(若干)元件或構件的關系，如圖中所展示。空間相對術語旨在涵蓋除在圖中描繪的定向以外的在使用或操作中的裝置的不同定向。裝備可經另外定向(旋轉90度或以其它定向)，且因此可同樣解釋本文中所使用的空間相對描述符。