[發(fā)明專利]一種晶體硅太陽能電池及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710662275.5
• 申請日: 2017-08-04
• 公開（公告）號: CN107275432A
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳奕峰;崔艷峰;陳達(dá)明;楊陽;王子港;劉成法;盛赟;皮爾·威靈頓;馮志強(qiáng);皮亞同·皮·阿特瑪特
• 申請（專利權(quán)）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/068
• 分類號: H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 浙江永鼎律師事務(wù)所33233
• 代理人: 郭小麗

1.一種晶體硅太陽能電池，包括硅襯底、發(fā)射極、背面場以及分別設(shè)置于發(fā)射極和背面場上的金屬電極，所述發(fā)射極以及背面場位于硅襯底兩側(cè)，所述發(fā)射極和/或背面場包括非金屬區(qū)域以及用于設(shè)置金屬電極的金屬區(qū)域，其特征在于，所述發(fā)射極和/或背面場上的金屬區(qū)域至金屬電極之間依次設(shè)置有鈍化層以及重?fù)蕉嗑Ч鑼印?/p>

2.如權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池，其特征在于，所述硅襯底為P型或者N型硅材料制成，所述硅襯底電阻率為0.01～1000Ωcm。

3.如權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池，其特征在于，所述鈍化層的厚度為0.1～1000埃，帶隙寬度為1～10eV。

4.如權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池，其特征在于，所述鈍化層為氧化硅、氮化硅或者非晶硅中的一種或多種材料制成。

5.如權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池，其特征在于，所述重?fù)蕉嗑Ч鑼拥膿诫s類型與發(fā)射極和/或背電場的摻雜類型相同。

6.如權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池，其特征在于，所述重?fù)蕉嗑Ч鑼拥暮穸葹?～10000nm，帶隙寬度為1.1～2eV。

7.如權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池，其特征在于，所述重?fù)蕉嗑Ч鑼优c金屬電極之間設(shè)置有富含氫元素的薄膜層，所述薄膜層的厚度為0.1～10000nm。

8.如權(quán)利要求7所述的晶體硅太陽能電池，其特征在于，所述薄膜層為氮化硅、氧化硅或者氧化鋁中的一種或幾種材料制成。

9.一種如權(quán)利要求1～8任一所述的晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(a)在硅襯底上進(jìn)行摻雜，形成均勻的發(fā)射極和/或背面場，并在發(fā)射極和/或背面場上劃分非金屬區(qū)域以及用于設(shè)置金屬電極的金屬區(qū)域；

(b)先在發(fā)射極和/或背面場的金屬區(qū)域以及非金屬區(qū)域上經(jīng)由熱氧氧化形成鈍化層，再在鈍化層上沉積重?fù)蕉嗑Ч鑼樱缓笤谖挥诮饘賲^(qū)域處的重?fù)蕉嗑Ч鑼由喜捎媒z網(wǎng)印刷形成一層掩膜層，再刻蝕未被掩模層保護(hù)的非金屬區(qū)域的鈍化層和重?fù)蕉嗑Ч鑼樱詈笕コ谀樱?/p>

或者，在發(fā)射極和/或背面場的金屬區(qū)域上經(jīng)由熱氧氧化形成鈍化層，再在鈍化層上沉積重?fù)蕉嗑Ч鑼樱?/p>

(c)在重?fù)蕉嗑Ч鑼由辖z網(wǎng)印刷金屬電極漿，燒結(jié)得到金屬電極。

10.如權(quán)利要求9所述的晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟(c)中，先在重?fù)蕉嗑Ч鑼雍?或非金屬區(qū)域上沉積所述薄膜層，再在位于金屬區(qū)域的薄膜層上絲網(wǎng)印刷金屬電極漿，最后燒結(jié)得到金屬電極。