[發(fā)明專利]用于化學氣相沉積設(shè)備的電極框及化學氣相沉積設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710661514.5
• 申請日: 2017-08-04
• 公開（公告）號: CN107435142B
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝銳
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;C23C16/50
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;顧楠楠

本發(fā)明提供了一種用于化學氣相沉積設(shè)備的電極框，包括由導(dǎo)電材料制成的框體、與框體連接的電源，所述框體中具有用于放入基板的放置通孔，所述框體的截面形狀為L字形，所述電源的正極接地，負極與框體連接。本發(fā)明還提供了一種化學氣相沉積設(shè)備，包括一接地的承載平臺，還包括所述的用于化學氣相沉積設(shè)備的電極框，當框體放置在承載平臺上時，框體與承載平臺導(dǎo)通，從而在框體中產(chǎn)生負電壓形成從框體外圍朝框體中心方向以及框體下端朝上端方向的電場。與現(xiàn)有技術(shù)相比，使的基板正面進行整面性成膜時，防止基板背面以及承載平臺被等離子污染的同時保證化學氣相沉積成膜時膜體能夠完全覆蓋基板正面。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種顯示面板技術(shù)，特別是一種用于化學氣相沉積設(shè)備的電極框及化學氣相沉積設(shè)備。

背景技術(shù)

在OLED（有機發(fā)光二極管，Organic Light-Emitting Diode, UIV OLED）制程中需要將通過化學氣相沉積（CVD）技術(shù)形成的膜（CVD膜）整體覆蓋在封裝層（PI（聚酰亞胺薄膜，PolyimideFilm）膜）上，當PI膜出現(xiàn)偏差時，如果CVD膜無法覆蓋PI膜，PI膜會在后續(xù)ELA（準分子激光退火）制程中出現(xiàn)氣體（out gas）污染準分子激光退火腔室；因CVD（ChemicalVapor Deposition，化學氣相沉積）設(shè)備的遮掩板的存在導(dǎo)致CVD技術(shù)形成的膜的成膜保證區(qū)（覆蓋有CVD膜區(qū)域）最高精度是距離玻璃邊緣4mm，當PI膜距離玻璃邊緣小于4mm時就會出現(xiàn)污染ELA設(shè)備狀況發(fā)生且產(chǎn)品異常，解決此問題最佳辦法是確保CVD在基板正面上整面性成膜，即成膜保證區(qū)距離玻璃邊緣距離為0mm；若采用直接拿掉遮掩板的方式時，在沒有遮掩板進行遮掩后，會導(dǎo)致基板背面及承載基板的承載平臺被準分子激光退火腔室內(nèi)的等離子成膜后所污染。

發(fā)明內(nèi)容

為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種用于化學氣相沉積設(shè)備的電極框及化學氣相沉積設(shè)備，防止在基板進行整面性成膜時，等離子對基板背面以及承載平臺被等離子污染。

本發(fā)明提供了一種用于化學氣相沉積設(shè)備的電極框，包括由導(dǎo)電材料制成的框體、與框體連接的電源，所述框體中具有用于放入基板的放置通孔，所述框體的截面形狀為L字形，所述電源的正極接地，負極與框體連接。

進一步地，所述框體包括一底框以及設(shè)于底框四周邊緣上的圍板，所述放置通孔設(shè)于底框中。

進一步地，所述圍板與底板之間的夾角大于90°。

進一步地，所述圍板的高度大于基板的厚度。

進一步地，所述框體的表面覆蓋有氧化膜層。

進一步地，所述氧化膜層外設(shè)有噴砂層。

進一步地，所述導(dǎo)電材料為鋁。

本發(fā)明還提供了一種化學氣相沉積設(shè)備，包括一接地的承載平臺，還包括所述的用于化學氣相沉積設(shè)備的電極框，當框體放置在承載平臺上時，框體與承載平臺導(dǎo)通，從而在框體中產(chǎn)生負電壓形成從框體外圍朝框體中心方向以及框體下端朝上端方向的電場。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，在基板外設(shè)置一具有嵌入孔的有導(dǎo)電材料制成的框體，且框體的截面為L字形，在框體放置在承載平臺上并通電后，在框體中產(chǎn)生負電壓形成從框體外圍朝框體中心方向以及框體下端朝上端方向的電場，使基板邊緣電子及負離子被推向框體的中心（即等離子中心）而無法在基板背面以及承載平臺表面滯留，從而在基板背面以及承載平臺上沒有電子當催化劑撞擊附近區(qū)域氣體，無法發(fā)生化學鍵斷裂產(chǎn)生化學反應(yīng)，使的基板正面進行整面性成膜時，防止基板背面以及承載平臺被等離子污染的同時保證化學氣相沉積成膜時膜體能夠完全覆蓋基板正面。

附圖說明

圖1是本發(fā)明用于化學氣相沉積設(shè)備的電極框與承載平臺連接的剖視圖；

圖2是本發(fā)明用于化學氣相沉積設(shè)備的電極框中放置基板的示意圖；