[發(fā)明專利]存儲(chǔ)裝置及電容元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710660963.8
• 申請(qǐng)日: 2017-08-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108630685B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-01-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 野島和弘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號(hào): H10B12/00
• 分類號(hào): H10B12/00;H10N97/00
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

1.一種電容元件，其特征在于具備：

多個(gè)第1電極層，在第1方向上積層；

第1導(dǎo)電體，貫通所述多個(gè)第1電極層而在所述第1方向上延伸；以及

第1絕緣層，沿著所述第1導(dǎo)電體在所述第1方向上延伸，且位于所述第1導(dǎo)電體與所述多個(gè)第1電極層之間；且

該電容元件包含分別設(shè)置在所述第1導(dǎo)電體與所述多個(gè)第1電極層之間的第1電容；

所述第1導(dǎo)電體與第1配線連接，所述第1配線包含第1部分及第2部分，所述第1部分沿與所述第1方向正交的第2方向延伸，所述第2部分沿與所述第1方向及所述第2方向正交的第3方向延伸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容元件，其特征在于還具備：

第2導(dǎo)電體，在所述第1方向上貫通所述多個(gè)第1電極層；以及

第2絕緣層，沿著所述第2導(dǎo)電體在所述第1方向上延伸，且位于所述第2導(dǎo)電體與所述多個(gè)第1電極層之間；且

該電容元件包含第2電容，所述第2電容連接于所述第1電容，且位于所述第2導(dǎo)電體與所述多個(gè)第1電極層之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容元件，其特征在于還具備：

多個(gè)第2電極層，在所述第1方向上積層；

第3導(dǎo)電體，在所述第1方向上貫通所述多個(gè)第2電極層；

第3絕緣層，沿著所述第3導(dǎo)電體在所述第1方向上延伸，且位于所述第3導(dǎo)電體與所述多個(gè)第2電極層之間；

第4導(dǎo)電體，在所述第1方向上貫通所述多個(gè)第2電極層；以及

第4絕緣層，沿著所述第4導(dǎo)電體在所述第1方向上延伸，且位于所述第4導(dǎo)電體與所述多個(gè)第2電極層之間；且該電容元件包含：

第3電容，連接于所述第2電容，且位于所述第3導(dǎo)電體與所述多個(gè)第2電極層之間；以及

第4電容，連接于所述第3電容，且位于所述第4導(dǎo)電體與所述多個(gè)第2電極層之間。

4.一種電容元件，其特征在于具備：

第1電極層，在其一端具有第1階差；

第2電極層，在第1方向經(jīng)由第1絕緣層而積層在所述第1電極層上，且在其一端具有第2階差；

第3電極層，在所述第1方向經(jīng)由第2絕緣層而積層在所述第2電極層上，且在其一端具有第3階差；

第4電極層，在所述第1方向經(jīng)由第3絕緣層而積層在所述第3電極層上，且在其一端具有第4階差；

第4絕緣層，形成在所述第1階差至所述第4階差上；

第1接觸插塞，電連接于所述第1電極層及所述第3電極層，被所述第1電極層及所述第3電極層所共有，且經(jīng)由所述第4絕緣層與所述第2電極層及所述第4電極層絕緣；

第2接觸插塞，電連接于所述第2電極層及所述第4電極層，被所述第2電極層及所述第4電極層所共有，且經(jīng)由所述第4絕緣層與所述第1電極層及所述第3電極層絕緣；且

所述第1階差、所述第3階差與所述第2階差、所述第4階差的配置以在與所述第1方向交叉的第2方向上交替地更替的方式形成；

所述第2階差以包含所述第2電極層與所述第3電極層的端面的方式形成；

所述第3階差以包含所述第3電極層與所述第4電極層的端面的方式形成。

5.一種存儲(chǔ)裝置，其特征在于：

具備并排配置在基底層上的存儲(chǔ)區(qū)域及電容元件區(qū)域，

所述存儲(chǔ)區(qū)域包含：

多個(gè)第1電極層，在第1方向上積層在所述基底層上；

第1導(dǎo)電體，貫通所述多個(gè)第1電極層而在所述第1方向上延伸，且與所述基底層電連接；以及

第1絕緣層，沿著所述第1導(dǎo)電體在所述第1方向上延伸，且位于所述第1導(dǎo)電體與所述多個(gè)第1電極層之間；且

所述電容元件區(qū)域包含：

多個(gè)第2電極層，在所述第1方向上積層在所述基底層上；

第2導(dǎo)電體，貫通所述多個(gè)第2電極層而在所述第1方向上延伸，且與所述基底層電絕緣；以及

第2絕緣層，沿著所述第2導(dǎo)電體在所述第1方向上延伸，且位于所述第2導(dǎo)電體與所述多個(gè)第2電極層之間；且

所述第1導(dǎo)電體與第1配線連接，所述第1配線包含第1部分及第2部分，所述第1部分沿與所述第1方向正交的第2方向延伸，所述第2部分沿與所述第1方向及所述第2方向正交的第3方向延伸。