[發(fā)明專利]包括多個(gè)平面的非易失性存儲(chǔ)器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710660160.2
• 申請(qǐng)日: 2017-08-04
• 公開（公告）號(hào): CN108288484B
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳星來;金東赫;丁壽男;崔齊玹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/10
• 分類號(hào): G11C16/10;G11C5/02;G11C5/06
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

包括多個(gè)平面的非易失性存儲(chǔ)器件。一種非易失性存儲(chǔ)器件包括：在基板上方沿第一方向布置的多條位線；設(shè)置在基板與多條位線之間并且包括沿與第一方向垂直的第二方向布置的多個(gè)平面的存儲(chǔ)單元陣列；設(shè)置在基板與存儲(chǔ)單元陣列之間的多個(gè)頁面緩沖電路；設(shè)置在頁面緩沖電路與存儲(chǔ)單元陣列之間并且適于將多條位線與多個(gè)頁面緩沖電路電聯(lián)接的多個(gè)接觸焊盤；以及設(shè)置在與多個(gè)接觸焊盤相同的層處并且沿第二方向延伸的多條路由線，其中，多個(gè)接觸焊盤被設(shè)置為分布成與沿第二方向布置的至少兩條線交疊，并且多條路由線被形成為彎曲圖案以在被設(shè)置為與不同的線交疊的接觸焊盤之間穿過。

技術(shù)領(lǐng)域

各實(shí)施方式總體上涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，更具體地，涉及包括多個(gè)平面的非易失性存儲(chǔ)器件。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件是使用諸如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)的半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)器件。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件通常可分為易失性存儲(chǔ)器件或非易失性存儲(chǔ)器件。

易失性存儲(chǔ)器件是當(dāng)電源中斷時(shí)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)被去除的存儲(chǔ)器件。易失性存儲(chǔ)器件的示例包括SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、DRAM(動(dòng)態(tài)RAM)和SDRAM(同步DRAM)。非易失性存儲(chǔ)器件是即使在電源中斷時(shí)仍保留存儲(chǔ)在其中的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器件。非易失性存儲(chǔ)器件的示例包括ROM(只讀存儲(chǔ)器)、PROM(可編程ROM)、EPROM(電可編程ROM)、EEPROM(電可擦除可編程ROM)、FLASH存儲(chǔ)器、PRAM(相變RAM)、MRAM(磁RAM)、RRAM(電阻式RAM)和FRAM(鐵電RAM)。

發(fā)明內(nèi)容

在一個(gè)實(shí)施方式中，一種非易失性存儲(chǔ)器件可以包括：多條位線，所述多條位線在基板上方沿第一方向布置；存儲(chǔ)單元陣列，所述存儲(chǔ)單元陣列設(shè)置在所述基板與所述多條位線之間并且包括沿與所述第一方向垂直的第二方向布置的多個(gè)平面；多個(gè)頁面緩沖電路(page buffer circuit)，所述多個(gè)頁面緩沖電路設(shè)置在所述基板與所述存儲(chǔ)單元陣列之間；多個(gè)接觸焊盤，所述多個(gè)接觸焊盤設(shè)置在所述頁面緩沖電路與所述存儲(chǔ)單元陣列之間并且適于將所述多條位線與所述多個(gè)頁面緩沖電路電聯(lián)接；以及多條路由線(routingline)，所述多條路由線設(shè)置在與所述多個(gè)接觸焊盤相同的層處，所述多條路由線沿所述第二方向延伸，其中，所述多個(gè)接觸焊盤被設(shè)置為分布成與沿所述第二方向布置的至少兩條線交疊，并且所述多條路由線被形成為彎曲圖案，以在被設(shè)置為與不同的線交疊的接觸焊盤之間穿過。

在一個(gè)實(shí)施方式中，一種非易失性存儲(chǔ)器件可以包括：多條位線，所述多條位線在基板上方沿第一方向布置；存儲(chǔ)單元陣列，所述存儲(chǔ)單元陣列設(shè)置在所述基板與所述多條位線之間，并且包括沿與所述第一方向垂直的第二方向布置的多條單元選通線和多條介電線(dielectric line)；頁面緩沖電路，所述頁面緩沖電路設(shè)置在所述基板與所述存儲(chǔ)單元陣列之間；多個(gè)接觸焊盤，所述多個(gè)接觸焊盤設(shè)置在所述頁面緩沖電路與所述存儲(chǔ)單元陣列之間，并且適于將所述頁面緩沖電路與所述多條位線電聯(lián)接；以及多條路由線，所述多條路由線設(shè)置在與所述多個(gè)接觸焊盤相同的層處，并沿所述第二方向延伸，其中，所述多個(gè)接觸焊盤被設(shè)置為分布成與所述多條介電線中的至少兩條交疊，并且所述多條路由線被形成為彎曲圖案，以在與不同介電線交疊的接觸焊盤之間穿過。

在一個(gè)實(shí)施方式中，一種非易失性存儲(chǔ)器件可以包括：多條位線，所述多條位線在基板上方沿第一方向布置；存儲(chǔ)單元陣列，所述存儲(chǔ)單元陣列設(shè)置在所述基板與所述多條位線之間，并且包括沿第一方向和與所述第一方向垂直的第二方向布置的多個(gè)平面；多個(gè)頁面緩沖電路，所述多個(gè)頁面緩沖電路設(shè)置在所述基板與所述存儲(chǔ)單元陣列之間；多個(gè)接觸焊盤，所述多個(gè)接觸焊盤設(shè)置在所述多個(gè)頁面緩沖電路與所述存儲(chǔ)單元陣列之間，并且適于將所述多條位線和所述多個(gè)頁面緩沖電路電聯(lián)接；以及多條路由線，所述多條路由線設(shè)置在與所述多個(gè)接觸焊盤相同的層處，并沿所述第二方向延伸，其中，所述多個(gè)接觸焊盤被設(shè)置為分布成與沿所述第二方向布置的至少兩條線交疊，并且其中，所述多條路由線被形成為彎曲圖案，以在被設(shè)置為與不同線交疊的接觸焊盤之間穿過。

附圖說明