[發(fā)明專利]基板處理裝置、基板處理方法及存儲有實(shí)行基板處理方法的程序的存儲介質(zhì)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710657588.1
• 申請日: 2017-08-03
• 公開（公告）號: CN107689337B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 戶島孝之;寺田正一;中村淳司
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種基板處理裝置，其具備：用于從基板將所述基板上的附著物去除的去除處理部；和用于控制所述去除處理部的動(dòng)作的控制部，

所述去除處理部具備：

處理液供給部：其向所述基板供給處理液，所述處理液含有所述附著物的去除劑和具有比所述去除劑的沸點(diǎn)低的沸點(diǎn)的溶劑；

基板加熱部：其在所述溶劑的沸點(diǎn)以上且低于所述去除劑的沸點(diǎn)的規(guī)定溫度下對所述基板進(jìn)行加熱；以及

沖洗液供給部：其向所述基板供給沖洗液，

所述控制部以如下方式控制所述處理液供給部、所述基板加熱部及所述沖洗液供給部：所述處理液供給部向所述基板供給所述處理液；接著，所述基板加熱部在所述規(guī)定溫度下對所述基板加熱，由此促進(jìn)所述溶劑的蒸發(fā)及所述附著物與所述去除劑的反應(yīng)；接著，所述沖洗液供給部向所述基板供給所述沖洗液，由此從所述基板去除所述附著物,

其中，所述附著物為蝕刻用硬掩膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中，所述處理液還含有增稠劑。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其中，所述增稠劑具有超過所述溶劑的沸點(diǎn)且所述去除劑的沸點(diǎn)以下的玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其中，所述規(guī)定溫度為所述溶劑的沸點(diǎn)以上且低于所述增稠劑的玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)的溫度。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其中，所述規(guī)定溫度為所述增稠劑的玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)以上且低于所述去除劑的沸點(diǎn)的溫度。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其中，所述增稠劑具有所述去除劑的沸點(diǎn)以上的玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其中，所述控制部以如下方式控制所述處理液供給部、所述基板加熱部及所述沖洗液供給部：

所述處理液供給部向所述基板供給所述處理液，由此，在所述基板上形成覆蓋所述附著物的所述處理液的膜；接著，在所述附著物被所述處理液的膜覆蓋的狀態(tài)下，所述基板加熱部在所述規(guī)定溫度下對所述基板進(jìn)行加熱，由此促進(jìn)所述溶劑的蒸發(fā)及所述附著物與所述去除劑的反應(yīng)；接著，所述沖洗液供給部向所述基板供給所述沖洗液，由此，從所述基板去除所述附著物。

8.一種基板處理方法，其從基板將所述基板上的附著物去除，該基板處理方法包含如下工序：

工序(A)：向所述基板供給處理液，所述處理液含有所述附著物的去除劑和具有比所述去除劑的沸點(diǎn)低的沸點(diǎn)的溶劑；

工序(B)：工序(A)之后，在所述溶劑的沸點(diǎn)以上且低于所述去除劑的沸點(diǎn)的規(guī)定溫度下對所述基板進(jìn)行加熱，從而促進(jìn)所述溶劑的蒸發(fā)及所述附著物與所述去除劑的反應(yīng)；以及

工序(C)：工序(B)之后，向所述基板供給沖洗液，從而從所述基板將所述附著物去除,

其中，所述附著物為蝕刻用硬掩膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板處理方法，其中，所述處理液還含有增稠劑。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理方法，其中，所述增稠劑具有超過所述溶劑的沸點(diǎn)且所述去除劑的沸點(diǎn)以下的玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理方法，其中，所述規(guī)定溫度為所述溶劑的沸點(diǎn)以上且低于所述增稠劑的玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)的溫度。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理方法，其中，所述規(guī)定溫度為所述增稠劑的玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)以上且低于所述去除劑的沸點(diǎn)的溫度。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理方法，其中，所述增稠劑具有所述去除劑的沸點(diǎn)以上的玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)。