[發明專利]一種LED面板及其制作方法

有效

• 申請號: 201710657434.2
• 申請日: 2017-08-03
• 公開（公告）號: CN107591393B
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發明（設計）人: 尹靈峰;王江波
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/00;H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種LED面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在襯底上形成若干相互獨立的芯片半成品，各個所述芯片半成品包括依次層疊在所述襯底上的氮化鋁緩沖層、N型氮化鎵層、發光層和P型氮化鎵層，相鄰兩個所述芯片半成品之間設有從所述P型氮化鎵層延伸至所述襯底的隔離槽；

通過所述隔離槽濕法腐蝕所述芯片半成品，并在所述芯片半成品從倒圓臺變成倒圓錐與所述襯底分離之前停止，所述芯片半成品中氮化鋁緩沖層的腐蝕速率最快；

在各個所述芯片半成品的P型氮化鎵層上形成P型電極；

將各個所述芯片半成品的P型電極分別固定在設有若干通孔的基板上，各個所述通孔的延伸方向與所述芯片半成品的層疊方向平行，各個所述芯片半成品之間的基板上設有所述通孔；

通過所述通孔濕法腐蝕所述芯片半成品，并在所述芯片半成品與所述襯底分離時停止，所述芯片半成品中氮化鋁緩沖層的腐蝕速率最快；

在各個所述芯片半成品上設置從所述N型氮化鎵層延伸至所述基板的絕緣層；

在所述絕緣層上設置N型電極連接線，所述N型電極連接線的兩端分別與所述N型氮化鎵層和所述基板連接。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在襯底上形成若干相互獨立的芯片半成品，各個所述芯片半成品包括依次層疊在所述襯底上的氮化鋁緩沖層、N型氮化鎵層、發光層和P型氮化鎵層，相鄰兩個所述芯片半成品之間設有從所述P型氮化鎵層延伸至所述襯底的隔離槽，包括：

采用金屬有機化合物化學氣相沉淀技術在襯底上依次生長氮化鋁緩沖層、N型氮化鎵層、發光層、P型氮化鎵層；

采用物理氣相沉積技術在所述P型氮化鎵層上形成二氧化硅層；

采用光刻技術在所述二氧化硅層上形成第一圖形的光刻膠；

濕法腐蝕所述二氧化硅層；

干法刻蝕所述P型氮化鎵層、所述發光層和所述N型氮化鎵層，形成所述隔離槽；

去除所述第一圖形的光刻膠。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述通過所述隔離槽濕法腐蝕所述芯片半成品，并在所述芯片半成品從倒圓臺變成倒圓錐與所述襯底分離之前停止，所述芯片半成品中氮化鋁緩沖層的腐蝕速率最快，包括：

將所述芯片半成品浸泡在腐蝕溶液中，所述腐蝕溶液至少對所述隔離槽內的芯片半成品進行腐蝕，所述腐蝕溶液為磷酸溶液、硫酸溶液、或者磷酸和硫酸的混合溶液；

在所述芯片半成品從倒圓臺變成倒圓錐與所述襯底分離之前，將所述芯片半成品從所述腐蝕溶液中取出；

去除所述二氧化硅層。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述腐蝕溶液的溫度為200℃～250℃。

5.根據權利要求2～4任一項所述的制作方法，其特征在于，所述二氧化硅層的厚度為100nm～5000nm。

6.根據權利要求1～4任一項所述的制作方法，其特征在于，所述P型電極包括金屬反射層。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述金屬反射層的材料采用銀、鋁、金或者鉑。

8.根據權利要求1～4任一項所述的制作方法，其特征在于，所述將各個所述芯片半成品的P型電極分別固定在設有若干通孔的基板上，各個所述通孔的延伸方向與所述芯片半成品的層疊方向平行，各個所述芯片半成品之間的基板上設有所述通孔，包括：

在基板上開設若干通孔，所述若干通孔呈陣列分布，各個所述通孔的截面的面積大于所述P型電極固定在所述基板上的表面的面積，相鄰兩個所述通孔的截面的間距小于或等于相鄰兩個所述P型電極固定在所述基板上的表面的間距；

采用金屬鍵合技術將各個所述芯片半成品的P型電極分別固定在所述基板上，各個所述芯片半成品的層疊方向與所述通孔的延伸方向平行。

9.根據權利要求1～4任一項所述的制作方法，其特征在于，所述通過所述通孔濕法腐蝕所述芯片半成品，并在所述芯片半成品與所述襯底分離時停止，所述芯片半成品中氮化鋁緩沖層的腐蝕速率最快，包括：

通過所述通孔在各個所述芯片半成品之間注入腐蝕溶液，所述腐蝕溶液至少對所述芯片半成品的氮化鋁緩沖層進行腐蝕，所述腐蝕溶液為氫氧化鉀溶液或者氫氧化鈉溶液；

在所述芯片半成品與所述襯底分離時，將所述芯片半成品從所述腐蝕溶液中取出。

10.一種LED面板，其特征在于，所述LED面板包括基板和若干芯片，各個所述芯片包括N型氮化鎵層、發光層、P型氮化鎵層、P型電極、N型電極連接線和絕緣層，所述芯片中的P型電極、P型氮化鎵層、發光層、N型氮化鎵層依次層疊在所述基板上形成圓臺，所述絕緣層設置在所述圓臺上且從所述N型氮化鎵層延伸至所述基板，所述N型電極連接線設置在所述絕緣層上且兩端分別與所述N型氮化鎵層和所述基板連接，所述基板上設有若干通孔，各個所述通孔的延伸方向與所述芯片的層疊方向平行，各個所述芯片之間的基板上設有所述通孔。