[發(fā)明專利]熒光芯片及其制造方法和發(fā)光裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710655036.7
• 申請(qǐng)日: 2017-08-03
• 公開（公告）號(hào): CN109388002B
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李乾;陳雨叁;胡飛;許顏正
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳光峰科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G03B21/20
• 分類號(hào): G03B21/20
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 姚鵬;曹正建

1.一種用于在被外部激發(fā)光激發(fā)時(shí)發(fā)出受激光的熒光芯片，所述熒光芯片包括：

基板；

反射層，所述反射層設(shè)置在所述基板上；以及

發(fā)光層，所述發(fā)光層設(shè)置在所述反射層上，在所述發(fā)光層中形成有二維排列的多個(gè)獨(dú)立的發(fā)光單元和圍繞各個(gè)所述發(fā)光單元的反射隔離部；

其中，所述反射層包含按預(yù)定比例混合的玻璃材料和反射材料；

所述反射隔離部通過填充在圍繞各個(gè)所述發(fā)光單元的槽中而形成在所述發(fā)光層中，所述槽是在預(yù)制發(fā)光層中切割出的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光芯片，其中，所述反射隔離部的深度等于或大于所述發(fā)光單元的深度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光芯片，其中，所述發(fā)光層部分地與所述反射層共同燒結(jié)而成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的熒光芯片，其中，所述發(fā)光單元包含發(fā)光玻璃材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熒光芯片，其中，所述發(fā)光玻璃材料包括YAG:Ce、LuAG:Ce、LuYAG:Ce、(AE)SiON、(AE)SiAlON、(AE)AlSiN₃和(AE)₂Si₅N₈中的一種或兩種以上，其中，AE為堿土金屬。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熒光芯片，其中，所述發(fā)光層的所述發(fā)光單元與所述反射層共同燒結(jié)而成。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熒光芯片，其中，所述槽是通過激光切割工藝或線鋸切割工藝形成的。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的熒光芯片，其中，所述發(fā)光單元包含發(fā)光陶瓷材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的熒光芯片，其中，所述發(fā)光陶瓷材料包括YAG-Al₂O₃發(fā)光陶瓷、YAG:Ce純相發(fā)光陶瓷和YAG:Ce單晶發(fā)光陶瓷中的一種或兩種以上。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的熒光芯片，其中，所述發(fā)光層的所述反射隔離部與所述反射層共同燒結(jié)而成。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光芯片，其中，所述反射隔離部和所述反射層包含相同的材料，或者，與所述反射層相比，所述反射隔離部不包含玻璃材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的熒光芯片，其中，所述基板包含氮化鋁、氧化鋁、碳化硅、氮化硅和藍(lán)寶石中的至少一者。

13.一種發(fā)光裝置，其包括：

根據(jù)權(quán)利要求1-12中任一項(xiàng)所述的熒光芯片；和

激發(fā)光源，其用于發(fā)出激發(fā)光，以照射所述熒光芯片。

14.一種用于制造熒光芯片的方法，所述熒光芯片用于在被外部激發(fā)光激發(fā)時(shí)發(fā)出受激光，所述方法包括：

提供基板；

通過在所述基板上涂刷第一漿料來形成反射層；

通過在所述反射層上涂刷第二漿料來形成預(yù)制發(fā)光層；

共同燒結(jié)所述反射層和所述預(yù)制發(fā)光層；

在所述預(yù)制發(fā)光層中切割出槽，使得所述預(yù)制發(fā)光層形成二維排列的多個(gè)獨(dú)立的發(fā)光單元，其中，所述槽延伸到所述反射層的表面或延伸到所述反射層的表面層中；

通過利用第三漿料填充所述槽來形成反射隔離部；以及

燒結(jié)所述反射隔離部；

其中，所述第一漿料是通過將反射顆粒、玻璃粉和有機(jī)載體按預(yù)定比例混合而成的。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述第三漿料與所述第一漿料相同，或者所述第三漿料是通過將反射顆粒和有機(jī)載體按預(yù)定比例混合而成的。