[發(fā)明專利]只讀存儲器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710654873.8
• 申請日: 2017-08-03
• 公開（公告）號: CN109390021B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 呂鑫邦;許齊修;鄭仲皓;莫亞楠;蔡忠政
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: G11C17/12
• 分類號: G11C17/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發(fā)明公開了一種只讀存儲器，其結(jié)構(gòu)包含多條往第一方向延伸的位線、多條與該位線平行的來源線、以及多條往與第一方向垂直的第二方向延伸的字符線，其中每兩個存儲器單元共用一個主動區(qū)域并經(jīng)由一共同的來源線接觸結(jié)構(gòu)電耦接至其中一來源線。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種只讀存儲器(read only memory,ROM)，更特定言之，其只讀存儲器中每兩個存儲器單元共用一條共同的來源線以及一主動區(qū)域。

背景技術(shù)

只讀存儲器(read only memory,ROM)是一種能永久保存內(nèi)容與數(shù)據(jù)的存儲器，其一般采用多個位1的存儲器單元與多個位0的存儲器單元的設(shè)計，其中位1的存儲器單元設(shè)定成用來存儲位為1的數(shù)據(jù)，而位0的存儲器單元設(shè)定成用來存儲位為0的數(shù)據(jù)。如要讀取一個只讀存儲器中的存儲器單元，存儲器單元必須被施加電壓。如果該存儲器單元是一個位1存儲器單元，該存儲器單元會產(chǎn)生第一回應(yīng)信號。如果該存儲器單元是一個位0存儲器單元，該存儲器單元會產(chǎn)生與該第一回應(yīng)信號不同的第二回應(yīng)信號。如此，根據(jù)對于所施加電壓的回應(yīng)，該存儲器單元可被判別為是位1存儲器單元還是位0存儲器單元，并依此達(dá)到存儲0或1數(shù)據(jù)的訴求。

隨著電子裝置的總線寬度與速度的提升，用以驅(qū)動這些總線的元件必須要能容受電力端(V_DD)與接地端(V_SS)連結(jié)之間更大的電流突波。這些電流突波會流經(jīng)元件的電源連接處，造成元件電壓在通電與接地態(tài)的參考水平之間震蕩，這樣的現(xiàn)象在業(yè)界通稱為接地反彈(ground bounce)、接電反彈(V_DD bounce)或是同時切換噪聲(simultaneousswitching noise,SSN)。這樣的反彈噪聲現(xiàn)象會繞亂電路造成其無法正常運(yùn)作。

接地反彈可能發(fā)生在高速的邏輯集成電路中多個輸出端同時改變其狀態(tài)的時候，其可能產(chǎn)生幾種不預(yù)期的影響，不論是對于切換元件的輸出端或是進(jìn)行接收的邏輯元件。輸出端一般是要提供邏輯的“1”或“0”數(shù)據(jù)。因為元件的邏輯態(tài)一般是經(jīng)由比對切換元件的內(nèi)部接地信號與接收到的信號來得出，故接地反彈效應(yīng)會影響該切換元件的輸出是否被正確地被邏輯元件所接收。信號或接地端的噪聲都會改變接收邏輯端對于邏輯態(tài)的讀取，如果其接地反彈幅度超出瞬時噪聲的容限值，就會造成系統(tǒng)的錯誤運(yùn)作。例如，接地反彈效應(yīng)會影響到只讀存儲器中對于位0數(shù)據(jù)的讀取運(yùn)作。

再者，傳統(tǒng)ROM裝置還有位線與位線之間易產(chǎn)生串?dāng)_的缺點(diǎn)，這也會對電路的運(yùn)作造成不好的影響。對此，一般多需要設(shè)置額外的電路來補(bǔ)償串?dāng)_，其無疑增加了布局所需的面積與功耗，并拖慢電路運(yùn)作的速度。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服前述只讀存儲器(ROM)中會發(fā)生的接地反彈問題等，本發(fā)明提出了一種新穎的只讀存儲器電路設(shè)計，其結(jié)構(gòu)中每兩個存儲器單元會共用一個共同的來源線。當(dāng)一條字符線開路導(dǎo)通時，該來源線僅會預(yù)留給一個存儲器單元，固可有效地避免電流突波的情形發(fā)生。此外，其來源線也可在鄰近的位線之間提供良好的接地屏蔽功效。

本發(fā)明的其一發(fā)明面向即在于提出一種只讀存儲器，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例，其結(jié)構(gòu)包含多條往第一方向延伸的位線、多條與位線平行的來源線、以及多條往與第一方向垂直的第二方向延伸的字符線，其中每兩個存儲器單元會共用一個主動區(qū)域并經(jīng)由一共同來源線接觸結(jié)構(gòu)電耦接至其中一來源線。

本發(fā)明的這類目的與其他目的在閱者讀過下文以多種圖示與繪圖來描述的優(yōu)選實(shí)施例細(xì)節(jié)說明后必然可變得更為明了顯見。

附圖說明

本說明書含有附圖并于文中構(gòu)成了本說明書的一部分，使閱者對本發(fā)明實(shí)施例有進(jìn)一步的了解。該些圖示描繪了本發(fā)明一些實(shí)施例并連同本文描述一起說明了其原理。在該些圖示中：

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一只讀存儲器(ROM)的電路示意圖；以及

圖2為本發(fā)明實(shí)施例圖1中所示只讀存儲器的布局圖。