[發明專利]一種基于SIW傳輸線的斜面吸收陣列負載

有效

• 申請號: 201710654520.8
• 申請日: 2017-08-03
• 公開（公告）號: CN107546448B
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 汪曉光;方健成;鄧龍江;陳良;梁迪飛
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01P1/26
• 分類號: H01P1/26
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 閆樹平

1.一種基于SIW傳輸線的斜面吸收陣列負載，包括SIW損耗傳輸線和斜面吸收陣列，其特征在于：

所述SIW損耗傳輸線，包括介質基板、介質基板上下表面的金屬層和兩行平行并貫穿介質基板和二層金屬層的金屬化通孔，以及設置于金屬化通孔外圍的管狀吸波材料層；

所述斜面吸收陣列由設置于介質基板的n排平行的金屬化孔組成，相鄰兩排的金屬化孔排間距p2相等，且與SIW損耗傳輸線的單行相鄰金屬化通孔的孔間距相等，(n-1)*p2>λ/2，λ為X波段下限頻率在傳輸線中的波長；各排金屬化孔與SIW傳輸線的兩行平行的金屬化通孔所在的直線垂直，第n排金屬化孔為金屬化通孔，其余均為金屬化孔僅貫穿下表面金屬層至介質基板中，即嵌入于介質基板；金屬化孔外圍設置有管狀吸波材料層；

所述管狀吸波材料層是以金屬化孔或金屬化通孔的軸心為物理中心設置于其外圍，即金屬化孔和金屬化通孔與管狀吸波材料層同軸，管狀吸波材料層的壁厚dr＞0，0＜2dr+d＜p1且0＜2dr+d＜p2，d為金屬化孔和金屬化通孔的直徑，p1為同排相鄰金屬化孔的軸心距，管狀吸波材料層高度與各金屬化孔和金屬化通孔高度相同并相適應；

各排金屬化孔在同一排高度相等，相鄰兩排高度差為Δh，且高度隨排數序號按等差數列規律遞增，金屬化孔整體呈斜坡狀；第n排金屬化孔與SIW傳輸線中的兩行金屬化通孔的金屬化通孔組在一條直線上呈對應關系，各排金屬化孔與SIW傳輸線的兩行金屬化通孔的n組金屬化通孔均依次一一對應設置于同一直線。

2.如權利要求1所述基于SIW傳輸線的斜面吸收陣列負載，其特征在于：所述管狀吸波材料層的材料選用磁損耗材料。

3.如權利要求1所述基于SIW傳輸線的斜面吸收陣列負載，應用于SIW器件測試夾具校準件或環行隔離器的吸收負載。