[發(fā)明專利]拼接顯示裝置及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710653606.9 | 申請日： | 2017-08-02 |
| 公開（公告）號： | CN107565044B | 公開（公告）日： | 2019-07-02 |
| 發(fā)明（設計）人： | 匡友元 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;G09F9/302;G09F9/33 |
| 代理公司： | 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 拼接 顯示裝置 及其 制作方法 | ||
1.一種拼接顯示裝置的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟S1、制作至少兩個OLED顯示裝置(100)；
其中，每一個OLED顯示裝置(100)的制作均包括如下步驟：
步驟S11、提供一OLED顯示面板(1)，對所述OLED顯示面板(1)上進行封裝，形成薄膜封裝層(2)；
步驟S12、在所述OLED顯示面板(1)的發(fā)光面上的薄膜封裝層(2)上覆蓋疏水有機層(5)；
步驟S13、在所述疏水有機層(5)上形成第一凹面層(6)，所述第一凹面層(6)形成有往遠離所述薄膜封裝層(2)的一側(cè)凹陷的第一凹面(61)；
步驟S14、在所述第一凹面層(6)上形成平坦層(7)，在所述平坦層(7)上覆蓋親水有機層(8)；
步驟S15、在所述親水有機層(8)上形成第二凹面層(9)，所述第二凹面層(9)形成有往靠近所述薄膜封裝層(2)的一側(cè)凹陷并與所述第一凹面(61)對應的第二凹面(91)；
步驟S16、對所述OLED顯示面板(1)進行烘烤，使得所述疏水有機層(5)和親水有機層(8)揮發(fā)成氣體釋出，得到透鏡層(3)；
所述透鏡層(3)包括至少一個雙凹透鏡(31)；
步驟S17、在所述透鏡層(3)上形成剛性的無機平坦層(4)；
步驟S2、將至少兩個OLED顯示裝置(100)相互拼接，得到拼接顯示裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的拼接顯示裝置的制作方法，其特征在于，所述OLED顯示面板(1)包括：襯底基板(11)、及設于所述襯底基板(11)上的陣列排布的多個子像素(12)，每一個子像素(12)均包括一個頂發(fā)光的有機發(fā)光二極管。
3.如權(quán)利要求2所述的拼接顯示裝置的制作方法，其特征在于，所述第一凹面層(6)和第二凹面層(9)分別形成有一個第一凹面(61)和一個第二凹面(91)，從而所述透鏡層(3)形成有一個雙凹透鏡(31)，該一個雙凹透鏡(31)覆蓋所述襯底基板(11)上的全部子像素(12)。
4.如權(quán)利要求2所述的拼接顯示裝置的制作方法，其特征在于，所述第一凹面層(6)和第二凹面層(9)分別形成有陣列排布的多個第一凹面(61)和陣列排布的多個第二凹面(91)，從而所述透鏡層(3)形成有陣列排布的多個雙凹透鏡(31)，所述多個雙凹透鏡(31)與所述多個子像素(12)一一對應，每一個雙凹透鏡(31)對應覆蓋一個子像素(12)。
5.如權(quán)利要求1所述的拼接顯示裝置的制作方法，其特征在于，所述步驟S13通過薄膜打印或通過光罩沉積形成陣列排布的多個第一凹面(61)；
所述步驟S15中通過薄膜打印或通過光罩沉積形成陣列排布的多個第二凹面(91)。
6.如權(quán)利要求1所述的拼接顯示裝置的制作方法，其特征在于，所述第一凹面層(6)、平坦層(7)、及第二凹面層(9)的材料相同。
7.一種如權(quán)利要求1所述的制作方法制得的拼接顯示裝置，其特征在于，包括至少兩個相互拼接的OLED顯示裝置(100)；
每一個OLED顯示裝置(100)均包括：OLED顯示面板(1)、封裝所述OLED顯示面板(1)的薄膜封裝層(2)、覆蓋所述OLED顯示面板(1)的發(fā)光面上的薄膜封裝層(2)的透鏡層(3)、及設于所述透鏡層(3)上的剛性的無機平坦層(4)；
所述透鏡層(3)包括至少一個雙凹透鏡(31)。
8.如權(quán)利要求7所述的拼接顯示裝置，其特征在于，所述OLED顯示面板(1)包括：襯底基板(11)、及設于所述襯底基板(11)上的陣列排布的多個子像素(12)，每一個子像素(12)均包括一個頂發(fā)光的有機發(fā)光二極管。
9.如權(quán)利要求8所述的拼接顯示裝置，其特征在于，所述透鏡層(3)包括一個雙凹透鏡(31)，該一個雙凹透鏡(31)覆蓋所述襯底基板(11)上的全部子像素(12)。
10.如權(quán)利要求8所述的拼接顯示裝置，其特征在于，所述透鏡層(3)包括陣列排布的多個雙凹透鏡(31)，所述多個雙凹透鏡(31)與所述多個子像素(12)一一對應，每一個雙凹透鏡(31)對應覆蓋一個子像素(12)。
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H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機發(fā)光二極管
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