[發明專利]顯示基板的制造方法有效
| 申請號： | 201710652934.7 | 申請日： | 2017-08-02 |
| 公開（公告）號： | CN107393947B | 公開（公告）日： | 2020-04-24 |
| 發明（設計）人： | 張鋒;呂志軍;劉文渠;董立文;張世政;黨寧;劉志勇 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 滕一斌 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 顯示 制造 方法 | ||
1.一種顯示基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供襯底基板；
在所述襯底基板上形成薄膜晶體管TFT；
在形成有所述TFT的襯底基板上涂覆光刻膠；
通過紫外光采用掩模板，對涂覆有所述光刻膠的襯底基板進行曝光，其中，曝光面積小于涂覆的所述光刻膠的面積的5％，單位面積的曝光能量小于或等于100兆焦耳；
對曝光后的襯底基板進行顯影、刻蝕得到光刻膠圖案，所述光刻膠圖案包括用于形成隔墊物圖案的鏤空區域，所述鏤空區域包括呈圓臺狀或棱臺狀的鏤空孔，所述鏤空孔中靠近所述襯底基板的開口大于遠離所述襯底基板的開口；
在所述鏤空區域內涂覆隔墊物材料，所述隔墊物材料包括溶有樹脂材料的有機溶液；
采用預設的溫度對所述隔墊物材料進行烘烤，所述預設的溫度的范圍為200℃～300℃；
剝離所述光刻膠圖案，以使所述鏤空區域內的隔墊物材料形成所述隔墊物圖案，所述隔墊物圖案的厚度為1微米～2微米。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述TFT的襯底基板上涂覆光刻膠，包括：
在形成有所述TFT的襯底基板上形成平坦層；
在形成有所述平坦層的襯底基板上形成像素限定層；
在形成有所述像素限定層的襯底基板上涂覆所述光刻膠。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底基板上形成TFT，包括：
在所述襯底基板上形成有源層；
在形成有所述有源層的襯底基板上依次形成柵絕緣層、柵極和源漏極圖案，所述源漏極圖案包括源極和漏極。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述有源層為多晶硅P-Si層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
