[發明專利]半導體存儲裝置

有效

• 申請號: 201710652927.7
• 申請日: 2017-08-02
• 公開（公告）號: CN108573726B
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 服部規男;矢野勝
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00;G11C11/56
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種半導體存儲裝置，其特征在于包括：

存儲陣列，通過可逆性且非易失性的可變電阻元件來存儲數據；

擦除單元，在響應來自外部的擦除指令，擦除所述存儲陣列的選擇的區塊時，不變更所述區塊的數據，而是設定表示所述區塊是否為擦除狀態的第一標志數據；以及

讀取單元，響應來自外部的讀取指令，輸出所述存儲陣列的選擇的字的讀取數據，

其中，所述讀取單元在所述第一標志數據表示所述擦除狀態時，無論所述選擇的字中所存儲的數據為何，均輸出表示所述擦除的數據做為所述讀取數據，以及

所述讀取單元在所述第一標志數據表示非擦除狀態時，輸出所述選擇的字中所存儲的數據，或所述數據的反向轉換數據做為所述讀取數據。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述半導體存儲裝置還包括編程單元，所述編程單元響應來自外部的編程指令，將輸入數據編程至所述存儲陣列的選擇的字，所述編程單元將所述第一標志數據設定為所述非擦除狀態。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述編程單元對所述選擇的字中所存儲的數據與所述輸入數據進行比較，并根據比較結果，將所述輸入數據或所述輸入數據的反向轉換數據編程至所述選擇的字，且設定用以對用于編程的數據進行判別的第二標志數據。

4.根據權利要求3所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述編程單元根據所述比較結果，對所述選擇的字的不一致的數據進行反轉。

5.根據權利要求3或4所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

在所述輸入數據與所述選擇的字中所存儲的數據之間的不一致的比例為不足50%的情況下，將所述輸入數據編程至所述選擇的字，在50%以上的情況下，將所述反向轉換數據編程至所述選擇的字，所述第二標志數據表示已對所述輸入數據或所述輸入數據的反向轉換數據進行編程。

6.根據權利要求3或4所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述讀取單元還基于所述第二標志數據，輸出所述選擇的字的數據或所述數據的反向轉換數據。

7.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述存儲陣列包括存儲所述第一標志數據及第二標志數據的標志區域，所述標志區域與存儲單元的各字對應地設置。

8.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述擦除指令、編程指令及所述讀取指令是與閃速存儲器具有兼容性的指令。

9.一種半導體存儲裝置，其特征在于包含能夠進行隨機存取的非易失性的存儲器元件，且能夠將所述存儲器元件的數據從“0”改寫為“1”或從“1”改寫為“0”，所述半導體存儲裝置包括：

擦除單元，在響應來自外部的擦除指令，擦除所述存儲器元件的選擇的區塊時，不變更所述區塊的數據，而是設定表示所述區塊是否為擦除狀態的第一標志數據；以及

讀取單元，響應來自外部的讀取指令，輸出所述存儲器元件的選擇的字的讀取數據，

其中，所述讀取單元在所述第一標志數據表示所述擦除狀態時，無論所述選擇的字中所存儲的數據為何，均輸出表示所述擦除的數據做為所述讀取數據，以及

所述讀取單元在所述第一標志數據表示非擦除狀態時，輸出所述選擇的字中所存儲的數據，或所述數據的反向轉換數據做為所述讀取數據。