[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710652927.7 | 申請日： | 2017-08-02 |
| 公開（公告）號： | CN108573726B | 公開（公告）日： | 2021-07-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 服部規(guī)男;矢野勝 | 申請（專利權(quán)）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C13/00 | 分類號： | G11C13/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中國臺灣臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 存儲 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于包括：
存儲陣列，通過可逆性且非易失性的可變電阻元件來存儲數(shù)據(jù)；
擦除單元，在響應(yīng)來自外部的擦除指令，擦除所述存儲陣列的選擇的區(qū)塊時，不變更所述區(qū)塊的數(shù)據(jù)，而是設(shè)定表示所述區(qū)塊是否為擦除狀態(tài)的第一標(biāo)志數(shù)據(jù)；以及
讀取單元，響應(yīng)來自外部的讀取指令，輸出所述存儲陣列的選擇的字的讀取數(shù)據(jù)，
其中，所述讀取單元在所述第一標(biāo)志數(shù)據(jù)表示所述擦除狀態(tài)時，無論所述選擇的字中所存儲的數(shù)據(jù)為何，均輸出表示所述擦除的數(shù)據(jù)做為所述讀取數(shù)據(jù)，以及
所述讀取單元在所述第一標(biāo)志數(shù)據(jù)表示非擦除狀態(tài)時，輸出所述選擇的字中所存儲的數(shù)據(jù)，或所述數(shù)據(jù)的反向轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)做為所述讀取數(shù)據(jù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于：
所述半導(dǎo)體存儲裝置還包括編程單元，所述編程單元響應(yīng)來自外部的編程指令，將輸入數(shù)據(jù)編程至所述存儲陣列的選擇的字，所述編程單元將所述第一標(biāo)志數(shù)據(jù)設(shè)定為所述非擦除狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于：
所述編程單元對所述選擇的字中所存儲的數(shù)據(jù)與所述輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，并根據(jù)比較結(jié)果，將所述輸入數(shù)據(jù)或所述輸入數(shù)據(jù)的反向轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)編程至所述選擇的字，且設(shè)定用以對用于編程的數(shù)據(jù)進(jìn)行判別的第二標(biāo)志數(shù)據(jù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于：
所述編程單元根據(jù)所述比較結(jié)果，對所述選擇的字的不一致的數(shù)據(jù)進(jìn)行反轉(zhuǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于：
在所述輸入數(shù)據(jù)與所述選擇的字中所存儲的數(shù)據(jù)之間的不一致的比例為不足50%的情況下，將所述輸入數(shù)據(jù)編程至所述選擇的字，在50%以上的情況下，將所述反向轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)編程至所述選擇的字，所述第二標(biāo)志數(shù)據(jù)表示已對所述輸入數(shù)據(jù)或所述輸入數(shù)據(jù)的反向轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)進(jìn)行編程。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于：
所述讀取單元還基于所述第二標(biāo)志數(shù)據(jù)，輸出所述選擇的字的數(shù)據(jù)或所述數(shù)據(jù)的反向轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于：
所述存儲陣列包括存儲所述第一標(biāo)志數(shù)據(jù)及第二標(biāo)志數(shù)據(jù)的標(biāo)志區(qū)域，所述標(biāo)志區(qū)域與存儲單元的各字對應(yīng)地設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于：
所述擦除指令、編程指令及所述讀取指令是與閃速存儲器具有兼容性的指令。
9.一種半導(dǎo)體存儲裝置，其特征在于包含能夠進(jìn)行隨機(jī)存取的非易失性的存儲器元件，且能夠?qū)⑺龃鎯ζ髟臄?shù)據(jù)從“0”改寫為“1”或從“1”改寫為“0”，所述半導(dǎo)體存儲裝置包括：
擦除單元，在響應(yīng)來自外部的擦除指令，擦除所述存儲器元件的選擇的區(qū)塊時，不變更所述區(qū)塊的數(shù)據(jù)，而是設(shè)定表示所述區(qū)塊是否為擦除狀態(tài)的第一標(biāo)志數(shù)據(jù)；以及
讀取單元，響應(yīng)來自外部的讀取指令，輸出所述存儲器元件的選擇的字的讀取數(shù)據(jù)，
其中，所述讀取單元在所述第一標(biāo)志數(shù)據(jù)表示所述擦除狀態(tài)時，無論所述選擇的字中所存儲的數(shù)據(jù)為何，均輸出表示所述擦除的數(shù)據(jù)做為所述讀取數(shù)據(jù)，以及
所述讀取單元在所述第一標(biāo)志數(shù)據(jù)表示非擦除狀態(tài)時，輸出所述選擇的字中所存儲的數(shù)據(jù)，或所述數(shù)據(jù)的反向轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)做為所述讀取數(shù)據(jù)。
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