[發明專利]包括激活摻雜劑的制造方法和具有陡峭結的半導體裝置

有效

• 申請號: 201710652352.9
• 申請日: 2017-08-02
• 公開（公告）號: CN107680905B
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: A·布雷梅塞爾;H-J·舒爾策;H·舒爾策;W·舒斯特雷德爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268;H01L21/22;H01L29/06;H01L29/861;H01L29/739
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 郭毅

1.一種制造半導體裝置的方法，所述方法包括：

在半導體層(700)的與工藝表面(701)緊鄰的預處理區(710)中生成晶格空位，其中，所述預處理區的垂直延伸尺度為至少500nm，所述垂直延伸尺度被限定為到所述工藝表面的具有以下特征的距離，即晶格空位密度下降到小于80％或小于預處理區中的最大空位密度與半導體層的在預處理區之外的且直接鄰接預處理區的部分中的平均空位密度之間的差值的一半；

將摻雜劑注入到所述預處理區(710)中以形成摻雜層；和

通過用激光束(850)照射所述工藝表面(701)，來加熱所述半導體層(700)的熔化區(712)，激活在所述熔化區(712)中的注入的摻雜劑。

2.根據權利要求1所述的方法，其中

所述注入的摻雜劑被注入而使范圍末端峰(811)在所述預處理區(710)內。

3.根據權利要求1所述的方法，其中

所述注入的摻雜劑被注入而使范圍末端峰(811)在所述預處理區(710)外。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中

通過將雜質穿過所述工藝表面(701)注入所述半導體層(700)來生成所述晶格空位。

5.如權利要求4所述的方法，其中

所述雜質是另外的摻雜劑。

6.根據權利要求4所述的方法，其中

注入所述雜質包括注入非摻雜助劑。

7.根據權利要求4所述的方法，其中

注入所述雜質包括在不同加速度能量下的至少兩次注入。

8.根據權利要求4所述的方法，其中

所述注入的雜質包括選自以下組的離子：鍺、硅、氬、氖、氙、氪、氦和氫離子。

9.根據權利要求4所述的方法，其中

所述注入的雜質包括選自以下組的離子：硼、磷、砷、硒和硫。

10.根據權利要求4所述的方法，其中

所述注入的雜質在到達所述半導體層(700)之前通過能量過濾器單元(870)。

11.根據權利要求10所述的方法，其中

所述能量過濾器單元(870)用于形成梯度場停止層(135)。

12.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中

通過施加偏壓等離子體或通過用電子束照射來生成所述晶格空位。

13.根據權利要求1至3、5至11中任一項所述的方法，其中

所述熔化區(712)具有大于或等于所述預處理區(710)的垂直延伸尺度(v1)的垂直延伸尺度(v3)。

14.根據權利要求1至3、5至11中任一項所述的方法，其中

所述熔化區(712)具有小于所述預處理區(710)的垂直延伸尺度(v1)的垂直延伸尺度(v3)。

15.根據權利要求14所述的方法，其中

通過用激光束(850)照射所述工藝表面(701)來加熱所述半導體層(700)的熔化區(712)，還激活所述預處理區(710)的超過所述熔化區(712)的部分中的注入的摻雜劑。

16.根據權利要求14所述的方法，其中

通過用激光束(850)照射所述工藝表面(701)來加熱所述半導體層(700)的熔化區(712)，激活整個預處理區(710)中的所述注入的摻雜劑。