[發明專利]一種IBC電池制備方法

在審

• 申請號: 201710652343.X
• 申請日: 2017-08-02
• 公開（公告）號: CN107275443A
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發明（設計）人: 劉大偉;王子謙;翟金葉;李鋒;史金超;宋登元
• 申請（專利權）人: 英利能源（中國）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所13120
• 代理人: 郝偉

1.一種IBC電池制備方法，其特征在于，包括：

選取N型硅片，對硅片進行表面損傷去除和表面結構化處理，在硅片表面形成絨面；

采用離子注入技術，對硅片的背表面和前表面進行磷摻雜處理，在硅片的背表面和前表面形成離子摻雜層；

采用等離子體增強化學氣相沉積法，對硅片的背表面和前表面進行擴散掩膜處理，在硅片的背表面和前表面形成擴散掩膜層；

去除硅片的背表面的P+區域的擴散掩膜層和離子摻雜層；

在預設溫度下對硅片進行三溴化硼擴散，在硅片的背表面形成P型區域，所述P型區域的方阻控制在第一預設范圍內；對離子摻雜層進行激活形成背場和前場，所述背場的方阻控制在第二預設范圍內，所述前場的方阻控制在第三預設范圍內；

去除硅片的擴散掩膜層和三溴化硼擴散形成的硼硅玻璃層；

對硅片進行化學鈍化處理；

對硅片進行減反射層沉積處理；

制作硅片的金屬電極。

2.根據權利要求1所述的IBC電池制備方法，其特征在于，所述采用離子注入技術，對形成絨面的硅片的背表面和前表面進行摻雜處理，包括：

以注入能量10keV～15keV，注入劑量1×10¹⁵/cm²～1×10¹⁶/cm²，對硅片背表面進行磷離子摻雜注入；

以注入能量5keV～10keV，注入劑量5×10¹⁴/cm²～1×10¹⁵/cm²，對硅片前表面進行磷離子摻雜注入。

3.根據權利要求1所述的IBC電池制備方法，其特征在于，所述擴散掩膜層的組分為SiO₂和SiNx，厚度為50nm～150nm。

4.根據權利要求1所述的IBC電池制備方法，其特征在于，所述去除硅片的背表面的P+區域的擴散掩膜和離子摻雜層，包括：

采用激光或印刷腐蝕漿料，去除硅片的背表面的P+區域的擴散掩膜和離子摻雜層。

5.根據權利要求1所述的IBC電池制備方法，其特征在于，所述第一預設范圍為50Ω/□～100Ω/□，所述第二預設范圍為30Ω/□～80Ω/□，所述第三預設范圍為150Ω/□～200Ω/□。

6.根據權利要求1所述的IBC電池制備方法，其特征在于，所述去除硅片的擴散掩膜層和三溴化硼擴散形成的硼硅玻璃層，包括：

采用9％的HF溶液對硅片清洗5～8min，去除硅片的擴散掩膜層和三溴化硼擴散形成的硼硅玻璃層。

7.根據權利要求1所述的IBC電池制備方法，其特征在于，所述對硅片進行化學鈍化處理，包括：

采用硝酸氧化在硅片表面生成1.5nm厚度的氧化硅層。

8.根據權利要求1所述的IBC電池制備方法，其特征在于，所述對硅片進行減反射層沉積處理，包括：

采用等離子體增強化學氣相沉積法沉積SiNx減反射層，所述SiNx減反射層的厚度為75nm～85nm。

9.根據權利要求1所述的IBC電池制備方法，其特征在于，所述制作硅片的金屬電極，包括：

利用絲網印刷法，在硅片背面的N+背場和P+背結區域印刷金屬柵線，利用燒結工藝將金屬柵線形成歐姆接觸。