[發明專利]扇出型封裝結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201710652341.0
• 申請日: 2017-08-02
• 公開（公告）號: CN107301983A
• 公開（公告）日: 2017-10-27
• 發明（設計）人: 陳彥亨;林正忠
• 申請（專利權）人: 中芯長電半導體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/48;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/29
• 代理公司: 上海光華專利事務所31219
• 代理人: 余明偉

1.扇出型封裝結構，其特征在于，所述扇出型封裝結構包括：

重新布線層，所述重新布線層包括相對的第一表面及第二表面；

半導體芯片，位于所述重新布線層的第一表面，且與所述重新布線層電連接；

第一塑封材料層，位于所述重新布線層的第一表面，所述第一塑封材料層填滿所述半導體芯片之間的間隙，并將所述半導體芯片封裹塑封；

第二塑封材料層，位于所述第一塑封材料層遠離所述重新布線層的表面，所述第二塑封材料層與所述第一塑封材料層為不同材料的塑封材料層；

焊料凸塊，位于所述重新布線層的第二表面，且與所述重新布線層電連接。

2.根據權利要求1所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述重新布線層包括：

電介質層；

金屬線層，位于所述電介質層內。

3.根據權利要求1所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述重新布線層包括：

電介質層；

金屬疊層結構，位于所述電介質層內；所述金屬疊層結構包括多層間隔排布的金屬線層及金屬插塞，所述金屬插塞位于相鄰所述金屬線層之間，以將相鄰的所述金屬線層電連接。

4.根據權利要求1所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述半導體芯片的正面朝向所述重新布線層。

5.根據權利要求1所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述第一塑封材料層的熱膨脹系數與所述第二塑封材料層的熱膨脹系數不同。

6.根據權利要求1所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述第一塑封材料層包括聚酰亞胺層、硅膠層、環氧樹脂層、可固化的聚合物基材料層或可固化的樹脂基材料層；所述第二塑封材料層包括聚酰亞胺層、硅膠層、環氧樹脂層、可固化的聚合物基材料層或可固化的樹脂基材料層。

7.根據權利要求1所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述焊料凸塊包括：

金屬柱，位于所述重新布線層的第二表面，且與所述重新布線層電連接；

焊球，位于所述金屬柱遠離所述半導體芯片的表面。

8.根據權利要求1所述的扇出型封裝結構，其特征在于，所述焊料凸塊為焊球。

9.一種扇出型封裝結構的制備方法，其特征在于，所述扇出型封裝結構的制備方法包括如下步驟：

1)提供一襯底；

2)于所述襯底的上表面形成半導體芯片；

3)于所述襯底的上表面形成第一塑封材料層，所述第一塑封材料層填滿半導體芯片之間的間隙，并將所述半導體芯片封裹塑封；

4)于所述第一塑封材料層的上表面形成第二塑封材料層，所述第二塑封材料層與所述第一塑封材料層為不同材料的塑封材料層；

5)去除所述襯底；

6)于所述第一塑封材料層遠離所述第二塑封材料層的表面形成重新布線層，所述重新布線層與所述半導體芯片電連接；

7)于所述重新布線層的表面形成焊料凸塊。

10.根據權利要求9所述的扇出型封裝結構的制備方法，其特征在于，步驟1)與步驟2)之間還包括于所述襯底的上表面形成剝離層的步驟；步驟2)中，所述半導體芯片形成于所述剝離層的上表面。

11.根據權利要求9所述的扇出型封裝結構的制備方法，其特征在于，步驟3)中，采用采用壓縮成型工藝、傳遞模塑成型工藝、液封成型工藝、真空層壓工藝或旋涂工藝于所述襯底的上表面形成所述第一塑封材料層；步驟4)中，采用采用壓縮成型工藝、傳遞模塑成型工藝、液封成型工藝、真空層壓工藝或旋涂工藝于所述第二塑封材料層的上表面形成所述第二塑封材料層。

12.根據權利要求9所述的扇出型封裝結構的制備方法，其特征在于，步驟6)包括如下步驟：

6-1)于所述第一塑封材料層遠離所述第二塑封材料層的表面形成金屬線層；

6-2)于所述第一塑封材料層遠離所述第二塑封材料層的表面形成電介質層，所述電介質層將所述金屬線層包裹。