[發(fā)明專利]一種多孔陶瓷的準(zhǔn)分子激光拋光及檢測方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710652088.9 | 申請日: | 2017-08-02 |
| 公開(公告)號: | CN107498176B | 公開(公告)日: | 2019-05-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭馨;王宇;丁金濱;劉斌;張立佳;周翊;趙江山;齊威 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院光電研究院 |
| 主分類號: | B23K26/00 | 分類號: | B23K26/00;B23K26/352;B23K26/402 |
| 代理公司: | 北京辰權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11619 | 代理人: | 董李欣 |
| 地址: | 100094*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 多孔 陶瓷 準(zhǔn)分子激光 拋光 檢測 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種多孔陶瓷的準(zhǔn)分子激光拋光和檢測方法,其特征在于,包括以下步驟:利用表面粗糙度分析設(shè)備掃描多孔陶瓷待加工面的表面輪廓,使用光束均勻器和聚焦透鏡實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)分子激光光束的聚焦和勻化,確定拋光用準(zhǔn)分子激光的離焦量,規(guī)劃表面的掃描路徑,調(diào)整準(zhǔn)分子激光的參數(shù),測定多孔陶瓷的燒蝕閾值Fth,調(diào)節(jié)準(zhǔn)分子激光的輸出能量對多孔陶瓷進(jìn)行拋光,計(jì)算拋光前多孔陶瓷的表面凸出粗糙度,計(jì)算拋光后多孔陶瓷的表面凸出粗糙度。本發(fā)明的方法對多孔陶瓷的熱力影響小,不會引起陶瓷材料顆粒剝落、脆斷等問題,對拋光材料的尺寸、形狀無要求,能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜、曲面甚至部分內(nèi)部結(jié)構(gòu)的拋光,提高了多孔陶瓷拋光效果的辨識度和準(zhǔn)確度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及激光加工領(lǐng)域,具體涉及多孔陶瓷的拋光。
背景技術(shù)
多孔陶瓷具有透過性好、密度低、硬度高、耐磨性好、熱導(dǎo)率低等特點(diǎn),可實(shí)現(xiàn)減重、隔熱、吸聲、過濾、催化等作用,在航空航天、機(jī)械、化工、光電、能源、生物等諸多領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。陶瓷材料硬度高、脆性大的特點(diǎn)使其加工困難,但是,多孔陶瓷的表面粗糙度影響著多孔陶瓷零件的表面附著性、透過性、振動和噪聲等性能,尤其對于多孔陶瓷軸承與軸套、電子發(fā)射器件等,直接影響轉(zhuǎn)動噪聲、膜層結(jié)合能力等重要參數(shù)。
目前常用的陶瓷拋光方法包括機(jī)械法、化學(xué)法、激光拋光等。由于多孔陶瓷材料孔隙間的結(jié)合相比致密陶瓷更為薄弱,機(jī)械法等接觸法在加工過程中更容易造成顆粒剝落、局部脆斷,容易造成表面缺陷或劃痕等,剝落的顆粒還可能進(jìn)入孔隙形成雜質(zhì)物。化學(xué)法等反應(yīng)拋光的方式不僅會腐蝕陶瓷表面突出結(jié)構(gòu),還會腐蝕孔隙,影響孔隙結(jié)構(gòu),難以實(shí)現(xiàn)多孔陶瓷表面的拋光。相比之下,激光拋光對多孔陶瓷具有顯著的優(yōu)勢,其中CO2、YAG等激光拋光方式會在材料表面生產(chǎn)大量的熱量,引起材料的熔化與燒結(jié),使少量尖峰材料熔化填入到波谷使表面變得光滑,雖能達(dá)到拋光的效果,但熱影響區(qū)大,反應(yīng)產(chǎn)物可能阻塞材料原本的孔隙,會影響多孔陶瓷材料的性能,而準(zhǔn)分子激光具有輸出能量更高、波長更短、激光單光子能量更大的優(yōu)勢,容易通過破壞材料表面的化學(xué)鍵實(shí)現(xiàn)對材料的冷拋光,是進(jìn)行多孔陶瓷拋光的理想光源之一。
同時(shí),目前對材料粗糙度表征的方式雖然包括了輪廓算術(shù)平均偏差Ra、輪廓最大高度Rz、輪廓單元平均寬度Rsm等,但這些參數(shù)均根據(jù)材料表面輪廓的峰值與谷值計(jì)算。受多孔陶瓷材料表面大量分布的孔隙影響,其計(jì)算結(jié)果對陶瓷表面凸起部分的檢測程度是有限的,降低了多孔陶瓷表面孔隙外部分平整程度檢測的辨識度。
基于此,有必要針對上述技術(shù)問題,提供一種多孔陶瓷拋光和檢測的方法。
發(fā)明內(nèi)容
為了實(shí)現(xiàn)多孔陶瓷的有效拋光和檢測,減少對孔隙的影響及孔隙存在對粗糙度檢測的影響,本發(fā)明提出了一種利用準(zhǔn)分子激光拋光多孔陶瓷的方法及其檢測方式。通過檢測多孔陶瓷的表面輪廓,分析其孔隙尺寸、間距等信息,對準(zhǔn)分子激光光束進(jìn)行勻化和聚焦處理,根據(jù)孔隙尺寸、間距和掃描光斑的尺寸確定多孔陶瓷拋光的掃描路徑,通過實(shí)驗(yàn)測定實(shí)驗(yàn)條件下多孔陶瓷的燒蝕閾值,調(diào)節(jié)準(zhǔn)分子激光的離焦量、能量密度、入射角度,利用略高于陶瓷燒蝕閾值的能量對激光進(jìn)行拋光,使陶瓷表面的尖峰位于準(zhǔn)分子激光燒蝕的區(qū)域內(nèi)通過汽化去除,而盡力降低對波谷的影響;通過分析拋光前陶瓷的表面輪廓確定陶瓷表面的基準(zhǔn)線,利用該基準(zhǔn)線上方的尖峰面積計(jì)算拋光前后陶瓷的表面粗糙度。由于準(zhǔn)分子激光燒蝕熱影響區(qū)很小,通過合理調(diào)整入射角度、掃描路徑,該方法可實(shí)現(xiàn)多孔陶瓷材料的拋光,并計(jì)算拋光前后多孔陶瓷的表面粗糙度,盡力降低對孔隙結(jié)構(gòu)和孔隙對粗糙度表征的影響。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的。
一種多孔陶瓷的準(zhǔn)分子激光拋光方法,其特征在于,包括以下步驟:
①利用表面粗糙度分析設(shè)備掃描多孔陶瓷待加工面的表面輪廓,作基準(zhǔn)線將一定長度的輪廓分成兩部分,使上、下兩部分輪廓線與基準(zhǔn)線之間所包含的面積相等,定義上部分為峰值,下部分為谷值,確定孔隙的平均尺寸和間距;
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