[發(fā)明專利]半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備及其水分去除方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710651713.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-08-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109390247A | 公開(公告)日: | 2019-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備 供氣管路 晶圓 水分去除 加載區(qū) 進(jìn)氣口 水分去除裝置 加熱器 水分過濾器 出氣口 殘留氣體 供氣系統(tǒng) 真空裝置 互鎖 加載 無水 | ||
1.一種半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備,其特征在于,所述半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備包括:
晶圓加載區(qū),具有加載互鎖真空裝置;
供氣系統(tǒng),具有供氣管路,所述供氣管路包括進(jìn)氣口及出氣口,所述供氣管路經(jīng)由所述出氣口與所述晶圓加載區(qū)內(nèi)部相連通,用于通過所述供氣管路向所述晶圓加載區(qū)提供清潔氣體;及
水分去除裝置,位于所述供氣管路內(nèi),用于去除所述供氣管路內(nèi)氣體的水分,所述水分去除裝置包括至少一個(gè)第一水分過濾器和至少一個(gè)加熱器,所述加熱器位于所述第一水分過濾器靠近所述供氣管路的進(jìn)氣口的一側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備,其特征在于,所述晶圓加載區(qū)連接至批次型擴(kuò)散處理腔室。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備,其特征在于,所述第一水分過濾器包括第一濾芯,所述第一濾芯為包括若干微通孔的多孔吸水材料結(jié)構(gòu),所述第一水分過濾器還包括第一殼體,所述第一殼體為具有通孔的筒狀結(jié)構(gòu);所述第一濾芯位于所述第一殼體的通孔內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備,其特征在于,所述第一殼體的外徑與所述供氣管路的內(nèi)徑相同;所述第一濾芯的直徑與所述第一殼體內(nèi)的通孔的直徑相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備,其特征在于,所述水分去除裝置還包括至少一個(gè)第二水分過濾器,所述第二水分過濾器位于所述供氣管路內(nèi),且位于所述加熱器遠(yuǎn)離所述第一水分過濾器的一側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備,其特征在于,所述第二水分過濾器包括第二濾芯,所述第二濾芯為包括若干個(gè)微通孔的多孔吸水材料結(jié)構(gòu),所述第二水分過濾器還包括第二殼體,所述第二殼體為具有通孔的筒狀結(jié)構(gòu);所述第二濾芯位于所述第二殼體的通孔內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備,其特征在于,所述第一濾芯中的微通孔的孔徑與所述第二濾芯中的微通孔的孔徑相同;所述第一濾芯的孔隙率與所述第二濾芯的孔隙率相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備,其特征在于,所述第一濾芯中的微通孔的孔徑與所述第二濾芯中的微通孔的孔徑不同或/和所述第一濾芯的孔隙率與所述第二濾芯的孔隙率不同。
9.一種半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的水分去除方法,其特征在于,所述方法包括:
提供如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備;
在晶圓處理之后,裝載晶圓在所述晶圓加載區(qū)中;及
進(jìn)行一氣氛凈化作業(yè),經(jīng)由所述水分去除裝置,將去除水分的氣體導(dǎo)入至所述晶圓加載區(qū)中,以預(yù)先排除外溢的晶圓處理殘留氣體并改善所述晶圓加載區(qū)為無水環(huán)境。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的水分去除方法,其特征在于,所述晶圓加載區(qū)連接至批次型擴(kuò)散處理腔室,所述水分去除方法還包含:
在氣氛凈化作業(yè)之后,經(jīng)由所述互鎖真空裝置的開啟,載出所述晶圓至晶圓傳送裝置。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司,未經(jīng)長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710651713.8/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種WAT測(cè)試方法及系統(tǒng)
- 下一篇:切膜裝置及其切膜方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 用于半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的凈化氣
- 半導(dǎo)體生產(chǎn)線的監(jiān)控方法及系統(tǒng)
- 半導(dǎo)體生產(chǎn)系統(tǒng)
- 半導(dǎo)體生產(chǎn)系統(tǒng)
- 監(jiān)控退火設(shè)備出現(xiàn)小顆粒尺寸缺陷的方法
- 溫度控制裝置、溫度控制方法和半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備
- 一種半導(dǎo)體生產(chǎn)系統(tǒng)
- 溫度控制裝置和半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備
- 一種半導(dǎo)體設(shè)備的監(jiān)控方法、裝置及系統(tǒng)
- 半導(dǎo)體設(shè)備的遠(yuǎn)程群組控制系統(tǒng)





