[發明專利]一種GaN異質結縱向逆導場效應管

有效

• 申請號: 201710651404.0
• 申請日: 2017-08-02
• 公開（公告）號: CN107482059B
• 公開（公告）日: 2020-01-17
• 發明（設計）人: 周琦;朱若璞;陳萬軍;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/20;H01L29/06
• 代理公司: 51232 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 孫一峰

1.一種GaN異質結逆導場效應管，包括從下至上依次層疊設置的漏電極(11)、N型襯底(1)、N型漂移區(2)、AlMN層(5)和有源區，所述N型漂移區(2)和AlMN層(5)構成異質結；所述N型漂移區(2)中的左右兩邊均具有P型基區(3)，且P型基區(3)以N型漂移區(2)的垂直中線呈對稱分布；在所述的左右兩邊的P型基區(3)之間的具有JFET區(12)，在所述P型基區(3)與所述AlMN層(5)之間的具有溝道區(9)；器件的有源區包括源電極(4)、柵電極(7)和肖特基陽極(8)，其中，所述肖特基陽極(8)位于JFET區(12)正上方，且肖特基陽極(8)呈“T”字形，肖特基陽極(8)的垂直中線與器件垂直中線重合，有源區以肖特基陽極(8)的垂直中線呈完全對稱分布結構；所述源電極(4)位于器件上表面兩側，且源電極(4)貫穿AlMN層(5)與溝道區(9)成歐姆接觸；柵電極(7)位于源電極(4)和肖特基陽極(8)之間，在柵電極(7)和AlMN層(5)之間還具有P型GaN柵區(6)，P型GaN柵區(6)嵌入AlMN層(5)上層形成凹槽(13)；在源電極(4)、柵電極(7)和肖特基陽極(8)之間填充有鈍化層(10)，所述源電極(4)的上層沿鈍化層(10)上表面向靠近肖特基陽極(8)的方向延伸，柵電極(7)上層沿鈍化層(10)上表面向兩側延伸；所述AlMN層(5)中M為Ga、In和Ga與In的混合物中的一種。

2.根據權利要求1所述的一種GaN異質結逆導場效應管，其特征在于，所述肖特基陽極(8)下方的AlMN層(5)的厚度大于10nm。

3.根據權利要求1或2所述的一種GaN異質結逆導場效應管，其特征在于，所述鈍化層(10)為SiO₂、Si₃N₄、AlN、Al₂O₃、MgO和HfO₂中的一種。

4.根據權利要求3所述的一種GaN異質結逆導場效應管，其特征在于，所述凹槽(13)的深度在0到20nm之間。