[發明專利]半導體裝置及其制造方法有效
| 申請號： | 201710651125.4 | 申請日： | 2017-08-02 |
| 公開（公告）號： | CN108417550B | 公開（公告）日： | 2021-09-10 |
| 發明（設計）人： | 加本拓;右田達夫;渡邊慎也 | 申請（專利權）人： | 東芝存儲器株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 楊林勛 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置，其特征在于具有：
第一半導體襯底，將第一布線電極設置在表面；
第一保護層，形成在所述半導體襯底上，且在所述第一布線電極上具有開口部；
第一凸塊電極，形成在所述第一保護層的開口部；及
凸塊，與所述第一凸塊電極接合，且凸塊直徑為30μm以下；
形成在所述開口部的所述第一凸塊電極的底面直徑為所述第一保護層的膜厚的1.5倍以下，
所述第一凸塊電極在表面形成有凹部，
所述第一凸塊電極的上層表面的最上部與最下部之差為1.5μm以下，
所述第一保護層的膜厚為5μm以上。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中形成在所述開口部的所述第一凸塊電極的底面直徑為所述第一保護層的膜厚以下。
3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述第一凸塊電極也形成在所述第一保護層上，且所述第一保護層上的所述第一凸塊電極的膜厚為3μm以下。
4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述凸塊與設置在所述第一半導體襯底的同一表面側的其他凸塊的距離為60μm以下。
5.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于：
準備在表面具備具有開口部的第一保護層、及形成在所述開口部的第一凸塊電極的半導體襯底，且
在所述第一凸塊電極接合凸塊直徑為30μm以下的凸塊，
形成在所述開口部的所述第一凸塊電極的底面直徑為所述第一保護層的膜厚的1.5倍以下，
所述第一凸塊電極在表面形成有凹部，
所述第一凸塊電極的上層表面的最上部與最下部之差為1.5μm以下，
所述第一保護層的膜厚為5μm以上。
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