[發明專利]自對準與非自對準的異質接面雙極晶體管的共同整合

有效

• 申請號: 201710650270.0
• 申請日: 2017-08-02
• 公開（公告）號: CN107680966B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: V·賈殷;劉豈之
• 申請（專利權）人: 格芯(美國)集成電路科技有限公司
• 主分類號: H01L27/082
• 分類號: H01L27/082;H01L29/737;H01L21/8222
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種半導體結構，包含在相同晶圓上以不同外延基極分布整合的至少兩個異質接面雙極晶體管(HBT)裝置，其中，該至少兩個HBT裝置中的第二裝置的本質基極外延是用作該至少兩個HBT裝置中的第一裝置的外質基極，該至少兩個HBT裝置的該第一裝置及該第二裝置有相同的發射極材料，且氮化物材料直接沉積于該第一裝置及該第二裝置的相同的該發射極材料上面。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其中，該不同外延基極分布為兩個不同的硅鍺外延基極分布。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其中，該至少兩個HBT裝置包括功率放大器與低噪聲放大器。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其中，于底切中形成半導體材料，以使升高的外質基極連結至在該第一裝置上的本質基極。

5.如權利要求4所述的半導體結構，其中，該第二裝置的該外延基極為硅鍺材料，以及該第一裝置的該外質基極為多晶材料。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其中，該至少兩個HBT裝置中的第一裝置包括自對準發射極/基極整合。

7.如權利要求6所述的半導體結構，其中，該至少兩個HBT裝置中的該第二裝置包括非自對準發射極/基極整合。

8.如權利要求1所述的半導體結構，其中：

該不同外延基極分布有不同的摻雜物濃度用于該至少兩個HBT裝置的該第一裝置及該第二裝置；

該不同外延基極分布有不同的鍺含量用于該至少兩個HBT裝置的該第一裝置及該第二裝置；以及

該不同外延基極分布有不同的厚度用于該至少兩個HBT裝置的該第一裝置及該第二裝置。

9.如權利要求1所述的半導體結構，其中，該至少兩個HBT裝置包括有自對準發射極及基極區的發射極在上裝置以及有非自對準集電極及基極區的集電極在上裝置。

10.如權利要求1所述的半導體結構，其中，該至少兩個HBT有不同的集電極區。

11.一種半導體結構，包含：

形成于襯底上的第一異質接面雙極晶體管(HBT)裝置，該第一HBT裝置包含：

由該襯底形成的集電極區；

形成于該集電極區上方的開口中的具有第一外延基極分布的自對準外延基極；以及

鄰近具有該第一外延基極分布的該自對準外延基極的自對準發射極區；

形成于該襯底上的第二HBT裝置，該第二HBT裝置包含：

由該襯底形成的集電極區；

具有與該第一外延基極分布不同的第二外延基極分布的外延基極，其形成于該集電極區上方的開口中；以及

鄰近具有該第二外延基極分布的該外延基極的發射極區，

其中，該第一HBT裝置及該第二HBT裝置有相同的發射極材料，且氮化物材料直接沉積于該第一HBT裝置及該第二HBT裝置的相同的該發射極材料上面。

12.如權利要求11所述的半導體結構，其中，該第二HBT裝置包括非自對準發射極/基極整合。

13.如權利要求11所述的半導體結構，其中，該第一及該第二外延基極分布為兩個不同的硅鍺外延基極分布。

14.如權利要求13所述的半導體結構，其中，該第一及該第二外延基極分布有不同的摻雜物濃度。

15.如權利要求13所述的半導體結構，其中，該第一及該第二外延基極分布有不同的厚度，以及該第一及該第二外延基極分布有不同的鍺含量。

16.如權利要求11所述的半導體結構，其中，該第一HBT裝置的集電極區與該第二HBT裝置的該集電極區不同。