[發明專利]一種有機發光二極管、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201710648482.5 | 申請日: | 2017-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN107579159B | 公開(公告)日: | 2019-09-24 |
| 發明(設計)人: | 王湘成;牛晶華 | 申請(專利權)人: | 上海天馬有機發光顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 201201 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 發光二極管 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種有機發光二極管,其特征在于,包括陽極、陰極、設置于所述陽極和所述陰極之間的至少兩個發光層,以及設置于每相鄰兩個發光層之間且沿遠離所述陰極的方向依次設置的空穴傳輸部和電子傳輸部,其中:
所述空穴傳輸部包括至少兩層空穴傳輸層,所述空穴傳輸層包括空穴傳輸材料和摻雜于所述空穴傳輸材料的P型材料,所述至少兩層空穴傳輸層中與發光層相鄰的空穴傳輸層的P型材料體積濃度小于與電子傳輸部相鄰的空穴傳輸層的P型材料體積濃度;
所述電子傳輸部包括至少兩層電子傳輸層,所述電子傳輸層包括電子傳輸材料和摻雜于所述電子傳輸材料的N型材料,所述至少兩層電子傳輸層中與發光層相鄰的電子傳輸層的N型材料體積濃度小于與空穴傳輸部相鄰的電子傳輸層的N型材料體積濃度;
所述N型材料用以提高所述電子傳輸層的電子傳輸能力,所述P型材料用以提高所述空穴傳輸層的空穴傳輸能力。
2.如權利要求1所述的有機發光二極管,其特征在于,
所述至少兩層空穴傳輸層的P型材料體積濃度沿遠離所述陰極的方向依次增大;
所述至少兩層電子傳輸層的N型材料體積濃度沿遠離所述陽極的方向依次增大。
3.如權利要求1所述的有機發光二極管,其特征在于,
所述至少兩層空穴傳輸層中與發光層相鄰的空穴傳輸層的厚度大于其余空穴傳輸層的厚度;
所述至少兩層電子傳輸層中與發光層相鄰的電子傳輸層的厚度大于其余電子傳輸層的厚度。
4.如權利要求1所述的有機發光二極管,其特征在于,
所述空穴傳輸部包括兩層空穴傳輸層,沿遠離所述陰極的方向分別為第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層;
所述電子傳輸部包括兩層電子傳輸層,沿遠離所述陽極的方向分別為第一電子傳輸層和第二電子傳輸層。
5.如權利要求4所述的有機發光二極管,其特征在于,所述第一空穴傳輸層的厚度為10nm~120nm,所述第二空穴傳輸層的厚度為5nm~20nm。
6.如權利要求4所述的有機發光二極管,其特征在于,所述第一空穴傳輸層的P型材料體積濃度為0.05%~10%,所述第二空穴傳輸層的P型材料體積濃度為1%~30%。
7.如權利要求4所述的有機發光二極管,其特征在于,所述第一電子傳輸層的厚度為20nm~60nm,所述第二電子傳輸層的厚度為5nm~20nm。
8.如權利要求4所述的有機發光二極管,其特征在于,所述第一電子傳輸層的N型材料體積濃度為0.1%~5%,所述第二電子傳輸層的N型材料體積濃度為1%~30%。
9.如權利要求1所述的有機發光二極管,其特征在于,所述N型材料包括堿金屬、堿土金屬或稀土金屬。
10.如權利要求1所述的有機發光二極管,其特征在于,所述P型材料包括無機材料,所述無機材料包括MoO3。
11.如權利要求1所述的有機發光二極管,其特征在于,所述空穴傳輸材料包括芳香胺類材料或咔唑類材料。
12.如權利要求1所述的有機發光二極管,其特征在于,所述電子傳輸材料包括聯苯類材料、吡啶類材料、苯并吡啶類材料或菲羅啉類材料。
13.一種顯示面板,其特征在于,包括如權利要求1~12任一項所述的有機發光二極管。
14.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求13所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





