[發明專利]半導體裝置的制造方法、基板處理裝置和存儲介質

有效

• 申請號: 201710648342.8
• 申請日: 2017-08-01
• 公開（公告）號: CN107680898B
• 公開（公告）日: 2022-01-25
• 發明（設計）人: 宮倉敬弘;森谷敦;中磯直春;芳賀健佑
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/3065;C23C16/24;C23C16/455
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 金鮮英;李宏軒

本申請涉及半導體裝置的制造方法、基板處理裝置和存儲介質。本發明所要解決的課題是，提高基板上形成的Si膜的膜質。作為解決上述課題的手段，提供一種半導體裝置的制造方法，其具有：在處理室內的基板上形成第1非晶硅膜的工序；以及，在處理室內，在維持第1非晶硅膜的非晶狀態的溫度下，使用氯化氫氣體對第1非晶硅膜的一部分進行蝕刻的工序。

技術領域

本發明涉及半導體裝置的制造方法、基板處理裝置和存儲介質。

背景技術

作為半導體裝置(Device)的制造工序的一道工序，有時進行在基板上形成硅膜(Si膜)的處理(例如參照專利文獻1、2)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2003-218036號公報

專利文獻2：日本特開2003-218037號公報

發明內容

發明所要解決的問題

本發明的目的在于，提供能夠提高基板上形成的Si膜的膜質的技術。

用于解決課題的方法

根據本發明的一個方式，提供一種半導體裝置的制造方法，其具有：

在處理室內的基板上形成第1非晶硅膜的工序，以及

在上述處理室內，在維持上述第1非晶硅膜的非晶狀態的溫度下，使用氯化氫氣體對上述第1非晶硅膜的一部分進行蝕刻的工序。

發明的效果

根據本發明，能夠提高基板上形成的Si膜的膜質。

附圖說明

圖1是本發明的一個實施方式中適宜使用的基板處理裝置的立式處理爐的概要構成圖，是將處理爐部分用縱剖面圖表示的圖。

圖2是本發明的一個實施方式中適宜使用的基板處理裝置的立式處理爐的概要構成圖，是將處理爐部分用圖1的A-A線剖面圖表示的圖。

圖3是本發明的一個實施方式中適宜使用的基板處理裝置的控制器的概要構成圖，是將控制器的控制系統用框圖表示的圖。

圖4是顯示本發明的一個實施方式的成膜序列中氣體供應時機等的圖。

圖5中，(a)是顯示播種階段開始前的晶圓的表面結構的剖面圖，(b)是顯示播種階段結束后的晶圓的表面結構的剖面圖，(c)是顯示第1成膜階段結束后的晶圓的表面結構的剖面圖，(d)是顯示蝕刻階段結束后的晶圓的表面結構的剖面圖，(e)是顯示第2成膜階段結束后的晶圓的表面結構的剖面圖。

圖6是顯示蝕刻速率的評價結果的圖。

符號說明

121 控制器(控制部)

200 晶圓(基板)

200h Si膜(第1非晶硅膜)

200i Si膜(第1非晶硅膜)

201 處理室

202 處理爐

203 反應管

207 加熱器

250a、250b 氣體供應孔

249a、249b 噴嘴

217 晶圓盒

267 旋轉機構

263 溫度傳感器

218 絕熱板