[發明專利]藍相液晶顯示裝置

在審

• 申請號: 201710648143.7
• 申請日: 2017-08-01
• 公開（公告）號: CN107450238A
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發明（設計）人: 陳興武
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/13357;G02F1/1333;G02F1/1335;G02F1/137
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所44265
• 代理人: 林才桂,聞盼盼

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種藍相液晶顯示裝置。

背景技術

隨著顯示技術的發展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣等優點，而被廣泛的應用于手機、電視、個人數字助理、數字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產品，成為顯示裝置中的主流。

現有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(Backlight Module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產生畫面。

通常液晶顯示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封膠框(Sealant)組成，其成型工藝一般包括：前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅動IC與印刷電路板壓合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的運動；中段Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅動IC壓合與印刷電路板的整合，進而驅動液晶分子轉動，顯示圖像。

隨著顯示技術的快速發展，人們對顯示技術的要求也越來越高，高穿透率和高色域的液晶顯示裝置成為未來發展的重要方向。目前，為實現液晶顯示裝置的高穿透率和高色域而采用的一種技術手段為場序顯示模式，場序顯示模式是使背光系統照射到液晶顯示面板的光的顏色按時間分割進行輪換來實現彩色顯示，無需彩色濾光層，大大提高液晶顯示裝置的穿透率，但是，在場序顯示模式中，需要液晶顯示裝置具有快速響應性。

藍相液晶(BP，Blue Phase)具有快速響應的優勢，響應時間可小于1ms，可用于場序顯示及3D顯示等方面，然而，藍相液晶本身存在很多缺點，例如，溫度范圍窄，一般為1-2℃，驅動電壓高，加電后很難恢復到初始狀態，即存在磁滯現象，很難用于實際應用中。為了拓寬藍相液晶的溫域，可以通過聚合物穩定藍相液晶的方法來拓寬藍相的溫域，為了降低藍相液晶的驅動電壓，可采用凸起電極驅動，達到有效降低驅動電壓的目的，然而磁滯現象一直未得到很好的解決，磁滯現象是指對藍相液晶加電后去掉電壓無法恢復到原始狀態的現象，即加電后去掉電壓穿透率不為零，由于磁滯現象的存在，會導致色彩切換過程產生混色現象。

發明內容

本發明的目的在于提供一種藍相液晶顯示裝置，能夠有效改善藍相液晶的磁滯現象，改善顏色切換時的混色問題，同時能夠實現高穿透率高色域顯示。

為實現上述目的，本發明提供一種藍相液晶顯示裝置，包括液晶顯示面板及設于所述液晶顯示面板入光側的背光源；所述液晶顯示面板包括相對設置的上基板與下基板、設于所述上基板與下基板之間的藍相液晶層；

所述下基板包括第一基板、設于所述第一基板上的第三電極、設于所述第一基板與第三電極上的絕緣層、及設于所述絕緣層上且間隔設置的第一電極與第二電極；

所述上基板包括第二基板及設于所述第二基板上的第四電極；

所述下基板上設有第一電極和第二電極的一側與所述上基板上設有第四電極的一側分別朝向所述藍相液晶層設置。

所述背光源為場序背光，可按時間順序循環發射紅綠藍三色光。

所述第一電極與第二電極為驅動電極，對所述第一電極與第二電極加電時，所述第一電極與第二電極之間存在電位差，所述第一電極與第二電極之間形成水平電場，此時藍相液晶層中的藍相液晶由各向同性轉變為各向異性，從背光源發出的光可穿過藍相液晶層。

在對所述第一電極與第二電極加電時，所述第三電極與第四電極不加電。

所述藍相液晶顯示裝置需要進行不同顏色的畫面切換時，所述第一電極與第二電極斷電，同時對所述第三電極與第四電極加電，使所述第三電極與第四電極之間存在電位差，在所述第三電極與第四電極之間形成垂直電場，藍相液晶層中的藍相液晶由水平各向異性轉變為垂直各向異性，從背光源發出的光無法穿過藍相液晶層。

所述第一基板為薄膜晶體管陣列基板，所述第二基板為玻璃基板。

所述絕緣層的材料包括氮化硅與氧化硅中的一種或多種。

所述第一電極、第二電極、第三電極及第四電極的材料均為氧化銦錫。