[發(fā)明專利]一種機(jī)身復(fù)合膜及其制備方法與應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710647712.6
• 申請日: 2017-08-01
• 公開（公告）號: CN107604323B
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖斌;張恒軍
• 申請（專利權(quán)）人: 贛州市德普特科技有限公司
• 主分類號: C23C14/30
• 分類號: C23C14/30;C23C14/18;C23C14/08;C23C14/10
• 代理公司: 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44288
• 代理人: 石伍軍;張鵬

1.一種機(jī)身復(fù)合膜，其特征在于，自下至上依次包括玻璃基片以及在玻璃基片上依次采用電子束蒸發(fā)鍍膜方法交錯(cuò)復(fù)合的第一Cr層、TiO₂層、第二Cr層和SiO₂層；第一Cr層的厚度為24-72nm、TiO₂層的厚度為200-1500nm、第二Cr層的厚度為500-700nm、SiO₂層的厚度為300-550nm。

2.如權(quán)利要求1所述的機(jī)身復(fù)合膜，其特征在于，第一Cr層的生長速率為2-4?/s；TiO₂層的生長速率為5-10?/s；第二Cr層的生長速率為5-7?/s；SiO₂層的生長速率為5-7?/s。

3.如權(quán)利要求2所述的機(jī)身復(fù)合膜，其特征在于，第一Cr層的厚度為50nm、TiO₂層的厚度為350-1000nm、第二Cr層的厚度為600nm、SiO₂層的厚度為500nm。

4.如權(quán)利要求1所述的機(jī)身復(fù)合膜，其特征在于，SiO₂層的厚度為300-550nm，其生長速率為5-7?/s。

5.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的機(jī)身復(fù)合膜的制備方法，其特征在于，包括：

1）基片前處理步驟：取玻璃基片，清洗，高純氮?dú)獯蹈桑?/p>

2）預(yù)熔處理步驟：對Cr膜料、TiO₂膜料和SiO₂膜料進(jìn)行預(yù)熔處理；

3）沉積第一Cr層步驟：取步驟2）處理后的Cr膜料，在步驟 1）處理后的玻璃基片表面采用電子束蒸發(fā)鍍膜方法鍍膜沉積第一Cr層，鍍膜參數(shù)為：真空度為3.0×10^-5Torr，Cr膜料加熱電流為550A，生長速率為2-4 ?/s；

4）沉積TiO₂層的步驟：取步驟2）處理后的TiO₂膜料，在步驟3）得到的第一Cr層表面采用電子束蒸發(fā)鍍膜方法鍍膜沉積TiO₂層，鍍膜參數(shù)為：真空度為3.0×10^-5Torr，TiO₂膜料加熱電流為550A，生長速率為5-10 ?/s；

5）沉積第二Cr層步驟：取步驟2）處理后的Cr膜料，在步驟4）得到的TiO₂層表面采用電子束蒸發(fā)鍍膜方法鍍膜沉積第二Cr層，鍍膜參數(shù)為：真空度為3.0×10^-5Torr，Cr膜料加熱電流為550A，生長速率為5-7 ?/s；

6）沉積SiO₂層的步驟：取SiO₂膜料，在步驟5）得到的第二Cr層表面采用電子束蒸發(fā)鍍膜方法鍍膜沉積SiO₂層，鍍膜參數(shù)為：真空度為3.0×10^-5Torr，SiO₂膜料加熱電流為550A，生長速率為5-7 ?/s。

6.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，步驟1）中，依次采用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲玻璃基片。

7.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，步驟 2）中，預(yù)熔電流為160A，預(yù)熔時(shí)間為3min。

8.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，步驟 4）中，更換成TiO₂膜料時(shí)，向反應(yīng)腔充入氧氣置換真空。

9.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的機(jī)身復(fù)合膜的在電子產(chǎn)品機(jī)身上的應(yīng)用。