[發明專利]具有鈍化層的半導體裝置的制造方法在審
| 申請號： | 201710646918.7 | 申請日： | 2017-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN108231535A | 公開（公告）日： | 2018-06-29 |
| 發明（設計）人： | 施佑龍;李肇耿;郭鉑漳;張慶全;林奕安 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鈍化層 沉積 高密度等離子 化學氣相沉積 半導體裝置 導電墊 介電層 制程 沉積介電層 電荷 制造 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有鈍化層的半導體裝置的制造方法，該制造方法的特征在于包含：
使用一第一沉積制程，沉積一介電層于一導電墊上方；以及
使用高密度等離子化學氣相沉積，沉積一第一鈍化層直接位于該介電層的上方，其中該第一沉積制程與高密度等離子化學氣相沉積不同，且該介電層的一厚度足以避免在沉積該第一鈍化層所產生的電荷到達該導電墊。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
