[發(fā)明專利]一種超級(jí)電容器老化測(cè)試方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710645366.8
• 申請(qǐng)日: 2017-08-01
• 公開（公告）號(hào): CN107367654B
• 公開（公告）日: 2019-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊振江;湯紅彬;楊引;楊恩東;邵國(guó)柱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南通江海儲(chǔ)能技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/00
• 分類號(hào): G01R31/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種超級(jí)電容器老化測(cè)試方法，包括測(cè)試設(shè)備；該測(cè)試設(shè)備包括：輸料裝置，測(cè)試裝置；所述的輸料裝置將測(cè)試產(chǎn)品輸送到測(cè)試裝置，測(cè)試裝置內(nèi)設(shè)有用于測(cè)試?yán)匣臏y(cè)試區(qū)，用于放電的測(cè)試區(qū)；通過上料區(qū)轉(zhuǎn)至測(cè)試區(qū)一內(nèi)檢測(cè)容量、自放電壓并放電；用于進(jìn)行SER測(cè)試的測(cè)試區(qū)二；

老化測(cè)試步驟如下：

1）、輸料裝置將超級(jí)電容器輸送至測(cè)試裝置內(nèi)，測(cè)試產(chǎn)品經(jīng)振動(dòng)盤、平送裝置自動(dòng)上料至循環(huán)輸送走帶；

2）超級(jí)電容器自動(dòng)轉(zhuǎn)向輸送至用于測(cè)試?yán)匣臏y(cè)試區(qū)對(duì)應(yīng)棑夾，老化棑夾夾住引線翻轉(zhuǎn)進(jìn)入用于測(cè)試?yán)匣臏y(cè)試區(qū)；

3）、進(jìn)入用于測(cè)試?yán)匣臏y(cè)試區(qū)進(jìn)行通電老化，串聯(lián)限流熱敏電阻之后并聯(lián)充電老化，循環(huán)200-250步之后產(chǎn)品出用于測(cè)試?yán)匣臏y(cè)試區(qū)；

4）、一棑夾的超級(jí)電容產(chǎn)品翻轉(zhuǎn)至循環(huán)輸送走帶，輸送至用于放電的測(cè)試區(qū)對(duì)應(yīng)棑夾，夾住引線翻轉(zhuǎn)進(jìn)入用于放電的測(cè)試區(qū)；

5）、產(chǎn)品進(jìn)入用于放電的測(cè)試區(qū)進(jìn)行自放電，循環(huán)200-250步之后出用于放電的測(cè)試區(qū)，時(shí)間與用于測(cè)試?yán)匣臏y(cè)試區(qū)同步；用于測(cè)試?yán)匣臏y(cè)試區(qū)和用于放電的測(cè)試區(qū)橫向?yàn)橥粭搳A，用于測(cè)試?yán)匣臏y(cè)試區(qū)是電容器串聯(lián)限流熱敏之后并聯(lián)，用于放電的測(cè)試區(qū)是光環(huán)氧板，沒有電路及電阻，每只超級(jí)電容器為單獨(dú)單元；

6）、產(chǎn)品輸送至上料區(qū)翻轉(zhuǎn)至測(cè)試區(qū)一進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試容量、自放電電壓并放電；過程中循環(huán)輸送走帶不停機(jī)；

7）、經(jīng)測(cè)試區(qū)一測(cè)試完成后，產(chǎn)品翻轉(zhuǎn)至輸送走帶，進(jìn)入測(cè)試區(qū)二進(jìn)行ESR測(cè)試。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超級(jí)電容器老化測(cè)試方法，其特征在于：在所述步驟2）前，對(duì)超級(jí)電容器進(jìn)行初測(cè)，初測(cè)開路、短路、反極并剔除。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超級(jí)電容器老化測(cè)試方法，其特征在于：所述的步驟3）中，循環(huán)226步之后產(chǎn)品出用于測(cè)試?yán)匣臏y(cè)試區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超級(jí)電容器老化測(cè)試方法，其特征在于：所述的步驟3）中，循環(huán)226步之后出用于放電的測(cè)試區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超級(jí)電容器老化測(cè)試方法，其特征在于：所述的步驟7）中，ESR測(cè)試中容量分3檔，分成ABC三種；以ESR為基準(zhǔn)分兩檔ESR1、ESR2，產(chǎn)品最終為六檔，分別為A1、B1、C1對(duì)應(yīng)ESR1，A2、B2、C2 對(duì)應(yīng)ESR2；不良品有ESR不良、高容不良、低容不良、電壓不良。