[發明專利]柔性顯示器件的制備方法、柔性顯示器件及顯示器在審
| 申請號: | 201710644439.1 | 申請日: | 2017-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN107464893A | 公開(公告)日: | 2017-12-12 |
| 發明(設計)人: | 白思航 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56;H01L51/00;H01L27/32;G09F9/30 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280 | 代理人: | 鐘子敏 |
| 地址: | 430000 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 顯示 器件 制備 方法 顯示器 | ||
技術領域
本發明涉及半導體制造技術領域,特別是涉及一種柔性顯示器件的制備方法、柔性顯示器件及顯示器。
背景技術
目前常用的柔性顯示器件的制造工藝是在玻璃基板上沉積柔性塑料薄膜襯底,例如聚酰亞胺薄膜(簡稱PI膜),以使該柔性襯底固定,再繼續沉積其他膜層,最后采用鐳射激光剝離(簡稱LLO)的分離方法分離玻璃基板和柔性襯底,然而該柔性襯底與玻璃基板之間的靜電相互作用較強,采用現有的制造工藝的過程中會對該柔性襯底造成靜電損傷,影響性能。
發明內容
本發明主要解決的技術問題是提供一種柔性顯示器件的制備方法、柔性顯示器件及顯示器,能夠解決現有技術中容易造成柔性襯底損傷的問題。
為解決上述技術問題,本發明采用的一個技術方案是:提供一種柔性顯示器件的制備方法,包括:在基板一表面制備一分離層;在分離層遠離基板的表面制備柔性襯底;在柔性襯底遠離分離層的表面制備顯示組件;將柔性襯底與分離層分離,以獲得柔性顯示器件;其中,柔性襯底與基板表面的粘附力大于分離層與柔性襯底表面的粘附力,分離層與基板表面的粘附力大于分離層與柔性襯底表面的粘附力。
為解決上述技術問題,本發明采用的另一個技術方案是:提供一種柔性顯示器件,該柔性顯示器件通過如上所述的制備方法獲得。
為解決上述技術問題,本發明采用的又一個技術方案是:提供一種顯示器,至少包括如上所述的柔性顯示器件。
本發明的有益效果是:區別于現有技術的情況,本發明在基板和柔性襯底之間制備一分離層,其中,柔性襯底與基板表面的粘附力大于分離層與柔性襯底表面的粘附力,分離層與基板表面的粘附力大于分離層與柔性襯底表面的粘附力,從而可以比較容易地將分離層與柔性襯底分離,以實現柔性襯底與基板的分離,獲得柔性顯示器件,該方法可以降低柔性襯底的損傷,降低對柔性顯示器件性能的影響,提高柔性顯示器件制造的良率。
附圖說明
圖1是本發明柔性顯示器件的制備方法一實施方式的流程示意圖;
圖2是基板、分離層和柔性襯底層疊結構一應用例的結構示意圖;
圖3是圖1中步驟S12的流程示意圖;
圖4是圖2中基板、分離層層疊結構一應用例的俯視圖;
圖5是基板、分離層和柔性襯底層疊結構另一應用例的結構示意圖;
圖6是基板、分離層和柔性襯底層疊結構再一應用例的結構示意圖;
圖7是基板、分離層和柔性襯底層疊結構又一應用例的結構示意圖;
圖8是基板、分離層、柔性襯底和顯示組件層疊結構一應用例的結構示意圖;
圖9是圖1中步驟S14的流程示意圖;
圖10是圖9中步驟S141之前步驟流程示意圖;
圖11是利用激光切割及滾軸分離柔性襯底和分離層的過程示意圖;
圖12是圖9中步驟S141的流程示意圖;
圖13是本發明柔性顯示器件一實施方式的結構示意圖;
圖14是本發明顯示器一實施方式的結構示意圖。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅是本發明的一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發明保護的范圍。
請參閱圖1,圖1是本發明柔性顯示器件的制備方法一實施方式的流程示意圖。如圖1所示,本發明柔性顯示器件的制備方法包括:
步驟S11:在基板一表面制備一分離層;
其中,基板是硬質材料,可以是玻璃、金屬、塑料、纖維等材質的其中一種或一種以上的組合,分離層是與基板粘附力較大而與柔性基板粘附力較小的材質,且分離層是與柔性襯底表面的粘附力小于柔性襯底與基板表面的粘附力的材質,例如二氧化鈦納米顆粒。
結合圖2所示,在一個應用例中,基板100是玻璃基板,分離層101的材質是二氧化鈦納米顆粒;進一步地,步驟S11包括:
步驟S111:在基板一表面涂布含有二氧化鈦納米顆粒的溶液;
其中,二氧化鈦納米顆粒具有優異的化學穩定性和熱穩定性,使得在后續的高溫制程中,仍然保持其形態和性能;并且二氧化鈦納米顆粒與玻璃基板的粘附力大于其與柔性襯底的粘附力,從而便于后續與柔性襯底分離。
步驟S112:采用高溫退火工藝對該溶液進行處理,以形成分離層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





