[發明專利]一種GaN基LED電極結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201710644313.4
• 申請日: 2017-07-31
• 公開（公告）號: CN109326700B
• 公開（公告）日: 2020-02-11
• 發明（設計）人: 徐曉強;劉琦;閆寶華;彭璐;肖成峰
• 申請（專利權）人: 山東浪潮華光光電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/40;H01L33/32
• 代理公司: 37224 濟南日新專利代理事務所
• 代理人: 王書剛

1.一種GaN基LED電極結構，自下至上依次包括襯底、n型GaN層、量子阱層和p型GaN層，p型GaN層上設置有ITO電流擴展層，n型GaN層上設置有臺面，ITO電流擴展層上設置有P電極，n型GaN層的臺面上設置有N電極；其特征是：P電極和N電極的結構是自下至上依次包括第一Cr層、第一Al層、Ti層、Au層、第二Cr層和第二Al層。

2.根據權利要求1所述的GaN基LED電極結構，其特征是：所述第一Cr層、第一Al層、Ti層、Au層、第二Cr層和第二Al層中上層包覆下層。

3.根據權利要求1所述的GaN基LED電極結構，其特征是：所述第一Cr層和第二Cr層的厚度為5-30埃。

4.根據權利要求1所述的GaN基LED電極結構，其特征是：所述第一Al層和第二Al層的厚度為500-1000埃。

5.根據權利要求1所述的GaN基LED電極結構，其特征是：所述Ti層的厚度為200-500埃。

6.根據權利要求1所述的GaN基LED電極結構，其特征是：所述Au層的厚度為3000-5000埃。

7.一種權利要求1所述GaN基LED電極結構制作方法，其特征是，包括以下步驟：

(1)在GaN基LED晶片的p型GaN層4上制作ITO薄膜層，作為ITO電流擴展層，自ITO薄膜層刻蝕到GaN基LED晶片的n型GaN層，在n型GaN層上形成臺面；

(2)制作光刻電極圖形，包括以下步驟：

①涂膠：使用負向光刻膠在晶片表面涂膠，涂膠厚度為10000埃-35000埃，涂膠轉速為1600rpm-3000rpm；將涂膠后的晶片進行初步烘干，溫度控制在70℃-120℃，時間為60-120秒；

②曝光：將完成步驟①的晶片進行曝光操作，曝光時間為5-25秒，曝光功率為200-500w，曝光完成后將晶片進行第二次烘烤，溫度為70℃-120℃，時間為60-120秒；

③顯影：將完成步驟②的晶片進行顯影操作，顯影時間為50-90秒，顯影液溫度為50-70℃，并保持恒溫，顯影完成后將晶片進行第三次烘烤(后烘)，溫度為70℃-120℃，時間為60-120秒；

(3)制作電極結構，包括以下步驟：

①將完成步驟(2)的晶片放置在真空度至少為9.0E-6Torr的電子束蒸發臺腔室內；

②蒸鍍第一Cr層：蒸鍍速率為0.5-3埃/秒，厚度為5-30埃，冷卻1-3分鐘；

③蒸鍍第一Al層：蒸鍍速率為5-10埃/秒，厚度達到500-1000埃，冷卻3-5分鐘；

④蒸鍍Ti層：蒸鍍速率為3-5埃/秒，厚度為200-500埃；

⑤蒸鍍Au層：蒸鍍速率為5-10埃/秒，厚度為3000-5000埃，冷卻10分鐘；

⑥蒸鍍第二Cr層：蒸鍍速率為0.5-3埃/秒，厚度為5-30埃，冷卻1-3分鐘；

⑦蒸鍍第二Al層：蒸鍍速率為5-10埃/秒，厚度達到500-1000埃，冷卻至室溫。

8.根據權利要求7所述的GaN基LED電極結構制作方法，其特征是，所述步驟(1)中ITO薄膜層的方塊電阻低于30歐姆/口，透過率大于85％。

9.根據權利要求7所述的GaN基LED電極結構制作方法，其特征是，所述步驟(2)中制作的光刻電極圖形中光刻膠倒角α為60°-75°。

10.根據權利要求7所述的GaN基LED電極結構制作方法，其特征是，所述步驟(2)的②中曝光時間為10-15秒。