[發明專利]一種確定離子注入機注入角度偏差的方法有效
| 申請號： | 201710642794.5 | 申請日： | 2017-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN107403740B | 公開（公告）日： | 2019-11-22 |
| 發明（設計）人： | 董衛一鳴;賴朝榮;王智 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;H01L21/265 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 智云<國際申請>=<國際公布>=<進入國 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 確定 離子 注入 角度 偏差 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種確定離子注入機注入角度偏差的方法，其特征在于，包括下列步驟：
提供標準硅片和離子注入機；
將標準硅片上半部分在離子注入機進行特定程式的離子注入；
離子注入機將標準硅片旋轉180度，使用相同程式進行下半部分的注入；所述離子注入步驟為：從0度的初始注入角度開始設置的不同注入角度為4個，分別為-1度、-0.5度、0.5度和1度；
對標準硅片進行熱波或方塊電阻量測；
分別收集標準硅片上下半部分的量測值；
根據量測值計算離子注入機注入角度的偏差；
所述計算離子注入機注入角度的偏差步驟為：根據量測值畫出雙V曲線，根據雙V曲線中軸線確定中間線，計算中間線到零點的距離作為離子注入機注入角度的偏差；
所述根據量測值畫出雙V曲線步驟為：以注入角度為橫軸，以熱波或方塊電阻阻值為縱軸，將數據轉化成V型曲線。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
