[發明專利]一種消除高電場的器件

有效

• 申請號: 201710642100.8
• 申請日: 2017-07-31
• 公開（公告）號: CN107359194B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 章文通;詹珍雅;李珂;余洋;梁龍飛;喬明;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 敖歡;葛啟函

1.一種消除高電場的器件，其特征在于：其元胞結構包括襯底(1)、源極接觸電極(5)、漏極接觸電極(6)、柵電極(7)、柵氧化層(8)、第二類型漂移區(9)、第二類型條(12)、第一類型條(14)、第二類型buffer區(22)、第一類型阱區(24)、第二類型重摻雜區(32)、第一類型重摻雜區(34)、第三類型重摻雜區(42)；所述三個類型重摻雜區兩兩相互獨立，分別為N型或P型；所述第二類型漂移區(9)設置在襯底(1)的上表面；所述第一類型阱區(24)嵌入設置在第二類型漂移區(9)的左側，其上表面與第二類型漂移區(9)的上表面相連接；所述第二類型buffer區(22)嵌入設置在第二類型N型漂移區(9)的右側，其上表面與第二類型漂移區(9)的上表面相連接；所述第一類型阱區(24)內部設置有相互獨立的第一類型重摻雜區(34)與第二類型重摻雜區(32)；所述第二類型buffer區(22)內部設置有第三類型重摻雜區(42)，第二類型buffer區(22)的上表面與第二類型漂移區(9)的上表面相連接；所述第二類型條(12)與第一類型條(14)沿y方向即垂直于硅平面向下的方向垂直設置在第二類型漂移區(9)中，第二類型條(12)的左側延伸至第一類型阱區(24)內部且不與第二類型重摻雜區(32)相連接，第一類型條(14)的右側延伸至第二類型buffer區(22)的內部；所述源極接觸電極(5)設置在第一類型重摻雜區(34)與第二類型重摻雜區(32)的上方，源極接觸電極(5)右端部分覆蓋第二類型重摻雜區(32)；所述柵氧化層(8)設置在第一類型阱區(24)的上方，柵氧化層(8)左端部分覆蓋第二類型重摻雜區(32)，且不與源極接觸電極(5)相連接；所述柵電極(7)設置在柵氧化層(8)的上方，所述漏極接觸電極(6)設置在第三類型重摻雜區(42)的上方。

2.根據權利要求1所述的一種消除高電場的器件，其特征在于：在第一類型阱區(24)下方，襯底(1)與第二類型漂移區(9)交界處的左端引入第一類型埋層(3)，第一類型埋層(3)上表面部分嵌入第一類型阱區(24)，下表面部分嵌入襯底(1)；或者在第二類型buffer區(22)與第一類型阱區(24)之間，襯底(1)與第二類型漂移區(9)之間引入第二類型bury層(4)，第二類型bury層(4)上表面部分嵌入第二類型漂移區(9)，下表面部分嵌入襯底(1)。

3.根據權利要求1所述的一種消除高電場的器件，其特征在于：所述設置在第二類型漂移區(9)中的第二類型條(12)與第一類型條(14)，設置在第二類型漂移區(9)體內，第二類型條(12)上表面不與第二類型漂移區(9)的上表面相連接，第一類型條(14)下表面不與第二類型漂移區(9)的下表面相連接。

4.根據權利要求1所述的一種消除高電場的器件，其特征在于：所述的第二類型條(12)與第一類型條(14)，沿y方向即垂直于硅平面向下的方向交替重復設置在第二類型漂移區(9)中，形成第二類型-第一類型-第二類型-第一類型-……結構。

5.根據權利要求1所述的一種消除高電場的器件，其特征在于：所述的第二類型條(12)與第一類型條(14)，兩者左側延伸至第一類型阱區(24)內部且不與第二類型重摻雜區(32)相連接，右側延伸至第二類型buffer區(22)的內部，且第一類型條(14)在z方向即器件寬度方向上形成斷續結構。

6.根據權利要求1所述的一種消除高電場的器件，其特征在于：所述設置在第二類型漂移區(9)中的第二類型條(12)與第一類型條(14)在y方向的寬度不相等。

7.根據權利要求1所述的一種消除高電場的器件，其特征在于：所述設置在第二類型漂移區(9)中的第二類型條(12)與第一類型條(14)的垂直位置相交換，且第一類型條(14)的左端不與第一類型阱區(24)的右界面相連接。