[發(fā)明專利]晶片任意倒角面軟拋光裝置和操作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710641975.6
• 申請(qǐng)日: 2017-07-31
• 公開（公告）號(hào): CN107471032A
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周海;龔凱;徐曉明;韋嘉輝;宋放
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鹽城工學(xué)院
• 主分類號(hào): B24B9/06
• 分類號(hào): B24B9/06;B24B37/10;B24B37/30;B24B37/34;C09G1/02
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司32200
• 代理人: 楊海軍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光電子晶體材料倒角面鏡面拋光的裝置及操作方法，具體涉及一種晶片任意倒角面軟拋光裝置和操作方法方法。

背景技術(shù)

為了避免晶片的崩邊，通常在晶片拋光前對(duì)其進(jìn)行倒角，并對(duì)倒角進(jìn)行拋光。現(xiàn)有的晶片倒角設(shè)備主要是磨削設(shè)備，在對(duì)晶片倒角面進(jìn)行拋光時(shí)主要靠手工操作，拋光角度難以控制，誤差較大，拋光后倒角面均勻性一致性較差，加工效率低，成本高。

因此，很有必要在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)一種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，操作簡(jiǎn)便，易于對(duì)晶片倒角面進(jìn)行拋光，工作效率高的晶片倒角面拋光裝置。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明目的：本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。提供一種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，操作簡(jiǎn)便，易于對(duì)晶片倒角面進(jìn)行拋光，工作效率高的晶片倒角面拋光裝置及其操作方法。

技術(shù)方案：為了實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明所采用的主要技術(shù)方案為：

一種晶片任意倒角面軟拋光裝置，它包括：拋光盤，與拋光盤相連的旋轉(zhuǎn)軸，與旋轉(zhuǎn)軸相連的第二電機(jī)，拋光刷，與拋光刷相連的第一電機(jī)，第一電機(jī)通過螺釘固定在電機(jī)支架上，電機(jī)支架通過內(nèi)六角螺栓固定在水平轉(zhuǎn)臂上，水平轉(zhuǎn)臂與滑架相連，滑架通過內(nèi)襯套套在螺桿上，螺桿的外周設(shè)有襯套筒，襯套筒固定在支撐座上；

所述的拋光盤包括相互嚙合連接的內(nèi)齒輪、外齒輪和游星輪，所述的游星輪上開設(shè)有孔，承載盤通過螺釘固定安裝在游星輪上，晶片通過石蠟均勻粘貼在承載盤上；

所述拋光裝置的螺桿的頂部安裝有固定蓋板；

所述拋光刷位于拋光盤的上方，拋光刷包括刷炳、與刷炳相連的刷頭和安裝在刷頭上的刷毛。

本發(fā)明所述的晶片任意倒角面軟拋光裝置的操作方法，其包括以下步驟：

a、先將研磨后的晶片通過石蠟均勻粘貼在承載盤上，再將承載盤通過螺釘安裝在游星輪上，將拋光刷安裝在第一電機(jī)上；

b、轉(zhuǎn)動(dòng)水平轉(zhuǎn)臂，將拋光刷轉(zhuǎn)動(dòng)到拋光盤上表面，通過調(diào)整滑架的位置調(diào)整拋光刷與拋光盤的距離；然后將配制好的5微米磨料的拋光膏均勻涂敷在晶片和拋光刷上，開動(dòng)第二電機(jī)，拋光盤內(nèi)齒輪和外齒輪由旋轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)，然后帶動(dòng)游星輪轉(zhuǎn)動(dòng)，安裝在游星輪中的承載盤隨著游星輪的轉(zhuǎn)動(dòng)而轉(zhuǎn)動(dòng)，從而帶動(dòng)粘貼在承載盤上的晶片轉(zhuǎn)動(dòng)，安裝在第一電機(jī)上的拋光刷在開動(dòng)第一電機(jī)時(shí)，隨第一電機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng)而轉(zhuǎn)動(dòng)，從而使得拋光刷與晶片作相對(duì)運(yùn)動(dòng)，對(duì)晶片進(jìn)行粗拋光。

c、粗拋光結(jié)束后，用去離子水沖洗晶片表面和拋光盤，清洗掉晶片和拋光盤上的磨料，更換拋光刷，改用100納米磨料的拋光膏均勻涂敷在晶片和拋光刷上，然后按照步驟b相同的操作方式進(jìn)行精拋光；

d、精拋光結(jié)束后，關(guān)閉第一電機(jī)和第二電機(jī)，卸下承載盤，從承載盤上取下拋光好的晶片。

作為優(yōu)選方案，以上所述的晶片任意倒角面軟拋光裝置的操作方法，步驟b中，控制第一電機(jī)的相對(duì)轉(zhuǎn)速為40至80rpm，對(duì)晶片進(jìn)行粗拋光。

作為優(yōu)選方案，以上所述的晶片任意倒角面軟拋光裝置的操作方法，步驟c中，控制第一電機(jī)和第二電機(jī)的相對(duì)轉(zhuǎn)速為100至150rpm。

作為優(yōu)選方案，以上所述的晶片任意倒角面軟拋光裝置的操作方法，步驟b和步驟c中，所述的拋光膏包括磨料，表面活性劑，油脂和有機(jī)溶劑。

作為更加優(yōu)選方案，以上所述的晶片任意倒角面軟拋光裝置的操作方法，步驟b和步驟c中，所述的拋光膏由下列質(zhì)量百分比的原料組成，磨料的質(zhì)量百分比為：20％～70％，有機(jī)溶劑的質(zhì)量百分比為：20％～50％，表面活性劑的質(zhì)量百分比為：0.5％～5％，油脂的質(zhì)量百分比為：0.5％～5％。

作為特別優(yōu)選的技術(shù)方案，經(jīng)過大量實(shí)驗(yàn)篩選得到，所述的拋光膏由下列質(zhì)量百分比的原料組成，磨料的質(zhì)量百分比為：50％，有機(jī)溶劑的質(zhì)量百分比為：46％，表面活性劑的質(zhì)量百分比為：2％，油脂的質(zhì)量百分比為：2％。，其中步驟b磨料的粒徑為5微米，步驟c磨料的粒徑為100納米。

作為優(yōu)選方案，以上所述的晶片任意倒角面軟拋光裝置的操作方法，磨料為人造金剛石微分、碳化硅、棕剛玉、立方碳化硼、氧化鈰中的一種或它們的混合物；

表面活性劑為脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸銨、脂肪醇聚氧乙烯醚磺基琥珀酸單酯二鈉中的一種或任意兩種的混合物；

油脂為黃油或潤(rùn)滑油中的一種；有機(jī)溶劑為煤油或汽油中的一種。

有益效果：本發(fā)明和現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明提供的晶片任意倒角面軟拋光裝置，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，使用靈活，加工效率高，拋光后晶片的倒角面均勻性好，且可對(duì)倒角的任意面進(jìn)行精確拋光。