[發(fā)明專利]一種用于ALD工藝的氣體傳輸裝置及其進氣方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710638370.1 | 申請日: | 2017-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN109321895B | 公開(公告)日: | 2023-06-16 |
| 發(fā)明(設計)人: | 紀紅;李春雷;趙磊超;秦海豐 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11315 | 代理人: | 周永強 |
| 地址: | 100176 北京市大興*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 ald 工藝 氣體 傳輸 裝置 及其 方法 | ||
1.一種用于ALD工藝的氣體傳輸裝置,包括主進氣單元和副進氣單元,所述主進氣單元用于傳輸前驅體A,副進氣單元用于傳輸前驅體B,其特征在于,所述主進氣單元包括攜帶氣體源A、儲存器A以及和儲存器A并聯(lián)的旁路A,攜帶氣體源A同時連接儲存器A和旁路A,且儲存器A和旁路A并聯(lián),儲存器A和旁路A同時連接供應管路A;所述副進氣單元包括攜帶氣體源B、儲存器B以及和儲存器B并聯(lián)的旁路B,攜帶氣體源B同時連接儲存器B和旁路B,且儲存器B和旁路B并聯(lián),儲存器B和旁路B同時連接供應管路B;在傳輸前驅體A的過程中,攜帶氣體源A中的攜帶氣體A進入儲存器A,并攜帶前驅體A進入ALD反應腔室,同時,攜帶氣體源B中的攜帶氣體B通過旁路B以及連接供應管路B進入ALD反應腔室;在傳輸前驅體B的過程中,攜帶氣體B進入儲存器B,并攜帶前驅體B進入ALD反應腔室,同時,攜帶氣體A通過旁路A以及連接供應管路A進入ALD反應腔室;所述主進氣單元并聯(lián)稀釋管路A,所述稀釋管路A一端連接稀釋流量計A,另一端連接所述供應管路A;所述副進氣單元并聯(lián)稀釋管路B,所述稀釋管路B一端連接稀釋流量計B,另一端連接所述供應管路B。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種用于ALD工藝的氣體傳輸裝置,其特征在于,所述主進氣單元還包括攜帶流量計A、三通脈沖閥A、供應管路A,所述三通脈沖閥A連接所述儲存器A、攜帶流量計A和旁路A,攜帶流量計A的另一端連接攜帶氣體源A,旁路A和儲存器A的另一端均連接所述供應管路A;
所述副進氣單元還包括攜帶流量計B、三通脈沖閥B、供應管路B,所述三通脈沖閥B連接所述儲存器B、攜帶流量計B和旁路B,攜帶流量計B的另一端連接攜帶氣體源B,旁路B和儲存器B的另一端均連接所述供應管路B;
在傳輸前驅體A的過程中,攜帶氣體A通過所述攜帶流量計A和三通脈沖閥A進入儲存器A,并攜帶前驅體A經(jīng)過供應管路A進入ALD反應腔室,攜帶氣體B通過所述攜帶流量計B、三通脈沖閥B、旁路B和供應管路B進入ALD反應腔室;
在傳輸前驅體B的過程中,攜帶氣體B通過所述攜帶流量計B和三通脈沖閥B進入儲存器B,并攜帶前驅體B經(jīng)過供應管路B進入ALD反應腔室,攜帶氣體A通過所述攜帶流量計A、三通脈沖閥A、旁路A和供應管路A進入ALD反應腔室。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種用于ALD工藝的氣體傳輸裝置,其特征在于,所述三通脈沖閥的導通狀態(tài)通過PLC系統(tǒng)控制。
4.根據(jù)權利要求2所述的一種用于ALD工藝的氣體傳輸裝置,其特征在于,稀釋氣體源A和稀釋氣體源B均為氮氣。
5.根據(jù)權利要求4所述的一種用于ALD工藝的氣體傳輸裝置,其特征在于,所述攜帶流量計A、攜帶流量計B、稀釋流量計A和稀釋流量計B中的流速保持不變。
6.根據(jù)權利要求4所述的一種用于ALD工藝的氣體傳輸裝置,其特征在于,所述稀釋流量計A的氣體流速大于所述攜帶流量計A中的氣體流速,所述稀釋流量計B的氣體流速大于所述攜帶流量計B中的氣體流速。
7.根據(jù)權利要求1所述的一種用于ALD工藝的氣體傳輸裝置,其特征在于,所述攜帶氣體源A和攜帶氣體源B均為氮氣。
8.一種采用權利要求1所述的氣體傳輸裝置進行ALD工藝氣體傳輸?shù)姆椒ǎㄒ韵虏襟E:
S01:前驅體A進入腔室:稀釋氣體經(jīng)過流量計A進入稀釋管路A,攜帶氣體A進入儲存器A,并攜帶前驅體A與稀釋管路A中的稀釋氣體匯合后,進入ALD反應腔室,攜帶氣體B通過旁路B進入ALD反應腔室;
S02:前驅體A的吹掃:稀釋氣體經(jīng)過流量計A進入稀釋管路A,攜帶氣體A與稀釋管路A中的稀釋氣體匯合后,通過旁路A進入ALD反應腔室,同時攜帶氣體B通過旁路B進入ALD反應腔室;
S03:前驅體B進入腔室:稀釋氣體經(jīng)過流量計B進入稀釋管路B,攜帶氣體B進入儲存器B,并攜帶前驅體B與稀釋管路B中的稀釋氣體匯合后,進入ALD反應腔室,攜帶氣體A通過旁路A進入ALD反應腔室;
S04:前驅體B的吹掃:稀釋氣體經(jīng)過流量計B進入稀釋管路B,攜帶氣體B通過旁路B與稀釋管路B中的稀釋氣體匯合后,進入ALD反應腔室,同時攜帶氣體A通過旁路A進入ALD反應腔室。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司,未經(jīng)北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710638370.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





