[發明專利]薄膜晶體管及制備方法、陣列基板及制備方法、顯示面板

有效

• 申請號: 201710637890.0
• 申請日: 2017-07-28
• 公開（公告）號: CN107359205B
• 公開（公告）日: 2019-12-20
• 發明（設計）人: 蘇同上;王東方;周斌;趙策;袁廣才
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/77
• 代理公司: 11274 北京中博世達專利商標代理有限公司
• 代理人: 張雨竹

1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成有源層；

在形成所述有源層的襯底上，依次形成柵絕緣薄膜、柵金屬薄膜和光刻膠；

采用半色調掩模板對所述光刻膠進行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全保留部分位于待形成柵極的區域，所述光刻膠完全去除部分位于所述光刻膠完全保留部分的兩側且位于所述有源層的上方，所述光刻膠半保留部分位于其他區域；

采用刻蝕工藝對與所述光刻膠完全去除部分對應的所述柵金屬薄膜和所述柵絕緣薄膜進行刻蝕；其中，對所述柵絕緣薄膜進行刻蝕后，形成包括第一過孔的柵絕緣層；

去除所述光刻膠半保留部分，對所述光刻膠半保留部分對應的所述柵金屬薄膜進行刻蝕，形成所述柵極，并去除所述光刻膠完全保留部分；

在形成所述柵極的襯底上形成層間絕緣層，所述層間絕緣層包括與所述第一過孔重疊的第二過孔；

在形成所述層間絕緣層的襯底上形成源極和漏極，所述源極和所述漏極通過所述層間絕緣層上的所述第二過孔、所述柵絕緣層上的所述第一過孔與所述有源層接觸。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在采用刻蝕工藝對與所述光刻膠完全去除部分對應的所述柵金屬薄膜和所述柵絕緣薄膜進行刻蝕之后，形成所述層間絕緣層之前，所述制備方法還包括：對露出的所述有源層進行導體化處理。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，去除所述光刻膠半保留部分，包括：

采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分；或者，

采用一定光強的紫外線照射所述光刻膠半保留部分和所述光刻膠完全保留部分，顯影后完全去除所述光刻膠半保留部分，使光刻膠完全保留部分的部分厚度保留。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用刻蝕工藝對與所述光刻膠完全去除部分對應的所述柵金屬薄膜和所述柵絕緣薄膜進行刻蝕，包括：

采用濕法刻蝕工藝對與所述光刻膠完全去除部分對應的所述柵金屬薄膜進行刻蝕；采用干法刻蝕工藝對露出的所述柵絕緣薄膜進行刻蝕；或者；

采用干法刻蝕工藝對與所述光刻膠完全去除部分對應的所述柵金屬薄膜進行刻蝕；采用干法刻蝕工藝對露出的所述柵絕緣薄膜進行刻蝕。

5.根據權利要求1-4任一項所述的制備方法，其特征在于，還包括：在形成所述源極和所述漏極的襯底上形成鈍化層。

6.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括采用權利要求1-5任一項所述的制備方法制備薄膜晶體管。