[發明專利]高電子遷移率晶體管在審
| 申請號： | 201710636270.5 | 申請日： | 2017-07-19 |
| 公開（公告）號： | CN109285881A | 公開（公告）日： | 2019-01-29 |
| 發明（設計）人： | 吳紹飛 | 申請（專利權）人： | 吳紹飛 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 211100 江蘇省南*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 勢壘層 隔離勢壘層 高電子遷移率晶體管 歐姆接觸電阻 隔離溝道層 緩變勢壘層 電流崩塌 輔溝道層 主溝道層 介質層 源漏極 大功率器件 二維電子氣 高勢壘層 成核層 高可靠 襯底 高場 可用 漏極 源極 | ||
1.一種高電子遷移率晶體管，自下而上包括：襯底(1)、成核層(2)、主溝道層(3)、勢壘層(4)、介質層(13)；勢壘層(4)頂端兩側分別為源極(10)和漏極(12)，中間為柵極(11)，其特征在于：勢壘層(4)上依次增加有輔溝道層(5)、緩變勢壘層(6)、高勢壘層(7)、隔離溝道層(8)和隔離勢壘層(9)；柵極(11)位于勢壘層(4)與隔離勢壘層(9)之間的凹槽(14)中，柵極的兩側及底部設有介質層(13)。
2.根據權利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，隔離勢壘層(9)與隔離溝道層(8)界面上，緩變勢壘層(6)與輔溝道層(5)界面上，勢壘層(4)和主溝道層(3)界面上分別形成有二維電子氣2DEG。
3.根據權利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，隔離勢壘層(9)和勢壘層(4)為AlxInyGa(1-x-y)N，且0＜x＜1，0≤y≤0.18，x+y≤1，隔離溝道層(8)、輔溝道層(5)和主溝道層(3)為InzGa1-zN，且0≤z≤0.05。
4.根據權利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，高勢壘層(7)為Al0.5Ga0.5N。
5.根據權利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，緩變勢壘層(6)為AlmGa1-mN，0≤m≤0.5，且從緩變勢壘層(6)與高勢壘層(7)界面到緩變勢壘層(6)與輔溝道層(5)界面，緩變勢壘層(6)的Al組分m由0.5緩變為0。
6.根據權利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，成核層(2)為AlmGa1-mN，且0≤m≤1。
7.根據權利要求9所述的高電子遷移率晶體管，其特征在于，凹槽(14)中柵極兩側介質厚度為5～30nm，柵極底部介質層厚度為0～5nm，隔離勢壘層(9)上方介質層(13)的厚度范圍為30～500nm。
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