[發(fā)明專利]一種基于異質(zhì)外延生長(zhǎng)單晶金剛石的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710633557.2 | 申請(qǐng)日： | 2017-07-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107268076A | 公開(kāi)（公告）日： | 2017-10-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張景文;陳旭東;王進(jìn)軍;李潔瓊;卜忍安;王宏興;侯洵 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 西安交通大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C30B25/18 | 分類號(hào)： | C30B25/18;C30B29/04 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司61200 | 代理人： | 陸萬(wàn)壽 |
| 地址： | 710049 陜*** | 國(guó)省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 外延 生長(zhǎng) 金剛石 方法 | ||
1.一種基于異質(zhì)外延生長(zhǎng)單晶金剛石的方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1)，在異質(zhì)外延襯底上生長(zhǎng)第一銥金屬層；
步驟2)、在第一銥金屬層上生長(zhǎng)第一金剛石層；
步驟3)、在第一金剛石層上生長(zhǎng)圖形化的第二銥金屬層；
步驟4)、在第二銥金屬層上生長(zhǎng)第二金剛石層，得到生長(zhǎng)有兩層金剛石層和兩層銥金屬層的異質(zhì)外延襯底；
步驟5)、將第二金剛石層與第一金剛石層和第二銥金屬層分離即可得到單晶金剛石。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于異質(zhì)外延生長(zhǎng)單晶金剛石的方法，其特征在于，步驟1)中的異質(zhì)外延襯底為Si、MgO、Al2O3或SrTiO3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于異質(zhì)外延生長(zhǎng)單晶金剛石的方法，其特征在于，步驟1)中，在生長(zhǎng)第一銥金屬層前，首先對(duì)異質(zhì)外延襯底首先異質(zhì)外延襯底依次通過(guò)丙酮、酒精、去離子水各超聲清洗5-10min，然后在惰性氣體下進(jìn)行干燥。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于異質(zhì)外延生長(zhǎng)單晶金剛石的方法，其特征在于，其特征在于，第一銥金屬層圖形和第二銥金屬層圖形相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于異質(zhì)外延生長(zhǎng)單晶金剛石的方法，其特征在于，步驟2)和步驟4)中均采用偏壓增強(qiáng)成核技術(shù)配合微波等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)在銥金屬層上生長(zhǎng)金剛石層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于異質(zhì)外延生長(zhǎng)單晶金剛石的方法，其特征在于，步驟3)中首先利用光刻技術(shù)在金剛石層上制作待用圖形，再采用磁控濺射或電子束蒸發(fā)方法在襯底上沉積銥金屬層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于異質(zhì)外延生長(zhǎng)單晶金剛石的方法，其特征在于，步驟5)中，將第二金剛石層與第一金剛石層和第二銥金屬層通過(guò)機(jī)械研磨法、ICP刻蝕法或者RIE刻蝕法去除第一金剛石層和第二銥金屬層即可得到單晶金剛石。
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